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等離子去膠在晶圓制造工藝中的應用
等離子去膠在晶圓制造工藝中的應用
為什么要去除光刻膠？
光刻膠是半導體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個晶圓制造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%，是半導體制造中核心的工藝。
在光刻環(huán)節(jié)里有個步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進行清除。
隨著后摩爾定律時代的到來，半導體行業(yè)轉向超淺結、多重圖形化超低k介電和3D架構，對光刻膠去膠工藝要求也隨之增高，需要更有效地處理復雜的器件結構。在晶體管層面，去膠工藝引起的薄膜微小變化就會影響結電阻率、結深和摻雜劑活化，從而影響器件的性能。
那么光刻膠如何去除呢？
半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠速度快，不需引入化學物質，減少了對晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中較好的方式。
*圖源：半導體行業(yè)觀察
晟鼎PLASMA去膠技術
晟鼎多年來堅持深耕等離子表面清洗活化，圍繞半導體行業(yè)，晟鼎組建團隊投入研發(fā)，迄今為止，獲得了多項等離子晶圓去膠、刻蝕等zhuanli。同時成立了蘇州半導體設備有限公司，不斷開拓晶圓領域的全新應用。
ICP等離子去膠機
ICP等離子去膠機依托晟鼎多年的光刻去膠的經(jīng)驗積累，采用高密度、低損傷等離子源設計，同時配備晟鼎成熟的遠程ICP技術，達到高水平的去膠速率，并實現(xiàn)去膠損傷抑制；采用獨立腔室結構設計，實現(xiàn)均勻的流場分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
•兼容主流4-8寸圓形晶圓
•單次可處理兩片晶圓，處理過程保持較低溫度
•全自動程度高，實現(xiàn)全自動晶圓上下料、清洗流程
•等離子密度高，去膠效果好
*設備除膠標準
RIE等離子去膠機
RIE PLASMA去膠機是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設備，也可用于光刻膠去除，碳化硅刻蝕，硬掩膜層干法清除，刻蝕后表面清潔，氧化硅或氮化硅刻蝕，DESCUM，介質與介質間光阻去除等應用領域，材料適用范圍：4-8寸。設備穩(wěn)定可靠、易于維護、產(chǎn)能高。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
•高密度等離子體，各種工藝兼容性高
•清洗均勻性高，設備易于維護
•緊湊集成式設計、占地少
提升產(chǎn)品良率的解決方案
除了等離子去膠外，晟鼎作為等離子技術專家，在晶圓表面檢測與晶圓封測段也有廣泛的應用，致力為客戶打造提升產(chǎn)品良率的解決方案。
