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等離子去膠在晶圓制造工藝中的應(yīng)用

閱讀:867        發(fā)布時(shí)間:2023-8-14

等離子去膠在晶圓制造工藝中的應(yīng)用


為什么要去除光刻膠?


光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中,光刻工藝約占整個(gè)晶圓制造成本的35%,耗時(shí)占整個(gè)晶圓工藝的40-50%,是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

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在光刻環(huán)節(jié)里有個(gè)步驟就是晶圓去膠,光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后,晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進(jìn)行清除。

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隨著后摩爾定律時(shí)代的到來,半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)向超淺結(jié)、多重圖形化超低k介電和3D架構(gòu),對光刻膠去膠工藝要求也隨之增高,需要更有效地處理復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。在晶體管層面,去膠工藝引起的薄膜微小變化就會(huì)影響結(jié)電阻率、結(jié)深和摻雜劑活化,從而影響器件的性能。


那么光刻膠如何去除呢?


半導(dǎo)體光刻膠去除工藝,一般分成兩種,濕法去膠和干法去膠。相對于濕法去膠,等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面,去膠速度快,不需引入化學(xué)物質(zhì),減少了對晶圓材料的腐蝕和損傷,是現(xiàn)有去膠工藝中較好的方式。

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*圖源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察


晟鼎PLASMA去膠技術(shù)


晟鼎多年來堅(jiān)持深耕等離子表面清洗活化,圍繞半導(dǎo)體行業(yè),晟鼎組建團(tuán)隊(duì)投入研發(fā),迄今為止,獲得了多項(xiàng)等離子晶圓去膠、刻蝕等zhuanli。同時(shí)成立了蘇州半導(dǎo)體設(shè)備有限公司,不斷開拓晶圓領(lǐng)域的全新應(yīng)用。

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ICP等離子去膠機(jī)


ICP等離子去膠機(jī)依托晟鼎多年的光刻去膠的經(jīng)驗(yàn)積累,采用高密度、低損傷等離子源設(shè)計(jì),同時(shí)配備晟鼎成熟的遠(yuǎn)程ICP技術(shù),達(dá)到高水平的去膠速率,并實(shí)現(xiàn)去膠損傷抑制;采用獨(dú)立腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)均勻的流場分布,去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。

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產(chǎn)品優(yōu)勢:

•兼容主流4-8寸圓形晶圓

•單次可處理兩片晶圓,處理過程保持較低溫度

•全自動(dòng)程度高,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)晶圓上下料、清洗流程

•等離子密度高,去膠效果好

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*設(shè)備除膠標(biāo)準(zhǔn)


RIE等離子去膠機(jī)


RIE PLASMA去膠機(jī)是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設(shè)備,也可用于光刻膠去除,碳化硅刻蝕,硬掩膜層干法清除,刻蝕后表面清潔,氧化硅或氮化硅刻蝕,DESCUM,介質(zhì)與介質(zhì)間光阻去除等應(yīng)用領(lǐng)域,材料適用范圍:4-8寸。設(shè)備穩(wěn)定可靠、易于維護(hù)、產(chǎn)能高。

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產(chǎn)品優(yōu)勢:

•高密度等離子體,各種工藝兼容性高

•清洗均勻性高,設(shè)備易于維護(hù)

•緊湊集成式設(shè)計(jì)、占地少


提升產(chǎn)品良率的解決方案

除了等離子去膠外,晟鼎作為等離子技術(shù)專家,在晶圓表面檢測與晶圓封測段也有廣泛的應(yīng)用,致力為客戶打造提升產(chǎn)品良率的解決方案。

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