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等離子去膠在晶圓制造工藝中的應(yīng)用
等離子去膠在晶圓制造工藝中的應(yīng)用
為什么要去除光刻膠？
光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個(gè)晶圓制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。
在光刻環(huán)節(jié)里有個(gè)步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進(jìn)行清除。
隨著后摩爾定律時(shí)代的到來，半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)向超淺結(jié)、多重圖形化超低k介電和3D架構(gòu)，對(duì)光刻膠去膠工藝要求也隨之增高，需要更有效地處理復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。在晶體管層面，去膠工藝引起的薄膜微小變化就會(huì)影響結(jié)電阻率、結(jié)深和摻雜劑活化，從而影響器件的性能。
那么光刻膠如何去除呢？
半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對(duì)于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠速度快，不需引入化學(xué)物質(zhì)，減少了對(duì)晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中較好的方式。
*圖源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察
晟鼎PLASMA去膠技術(shù)
晟鼎多年來堅(jiān)持深耕等離子表面清洗活化，圍繞半導(dǎo)體行業(yè)，晟鼎組建團(tuán)隊(duì)投入研發(fā)，迄今為止，獲得了多項(xiàng)等離子晶圓去膠、刻蝕等zhuanli。同時(shí)成立了蘇州半導(dǎo)體設(shè)備有限公司，不斷開拓晶圓領(lǐng)域的全新應(yīng)用。
ICP等離子去膠機(jī)
ICP等離子去膠機(jī)依托晟鼎多年的光刻去膠的經(jīng)驗(yàn)積累，采用高密度、低損傷等離子源設(shè)計(jì)，同時(shí)配備晟鼎成熟的遠(yuǎn)程ICP技術(shù)，達(dá)到高水平的去膠速率，并實(shí)現(xiàn)去膠損傷抑制；采用獨(dú)立腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)均勻的流場(chǎng)分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
•兼容主流4-8寸圓形晶圓
•單次可處理兩片晶圓，處理過程保持較低溫度
•全自動(dòng)程度高，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)晶圓上下料、清洗流程
•等離子密度高，去膠效果好
*設(shè)備除膠標(biāo)準(zhǔn)
RIE等離子去膠機(jī)
RIE PLASMA去膠機(jī)是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設(shè)備，也可用于光刻膠去除，碳化硅刻蝕，硬掩膜層干法清除，刻蝕后表面清潔，氧化硅或氮化硅刻蝕，DESCUM，介質(zhì)與介質(zhì)間光阻去除等應(yīng)用領(lǐng)域，材料適用范圍：4-8寸。設(shè)備穩(wěn)定可靠、易于維護(hù)、產(chǎn)能高。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
•高密度等離子體，各種工藝兼容性高
•清洗均勻性高，設(shè)備易于維護(hù)
•緊湊集成式設(shè)計(jì)、占地少
提升產(chǎn)品良率的解決方案
除了等離子去膠外，晟鼎作為等離子技術(shù)專家，在晶圓表面檢測(cè)與晶圓封測(cè)段也有廣泛的應(yīng)用，致力為客戶打造提升產(chǎn)品良率的解決方案。
