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當前位置：北京亞科晨旭科技有限公司>>產(chǎn)品展示>>薄膜制備>>薄膜沉積CVD
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下（ 100ºC）沉積高質(zhì)量SiO2, S...
PICOSUN 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Pro；PICOSUN R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS...
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級版；系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件...
PICOSUN®R-200標準ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，...
離子注入機由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成，可以根據(jù)實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子...
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下（ 100ºC）沉積高質(zhì)量SiO2, S...
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