由于 EBL 刻寫精度很高，因此寫滿整個(gè) Wafer 需要比較長(zhǎng)的時(shí)間，因此電子束電流，電子束定位， 電子束電流分布均一性在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要，這對(duì)大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。

CRESTEC CABL 系列采用其*的技術(shù)使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度，在大范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

該圖是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的圖案進(jìn)行拼接，寫滿整個(gè)片子，其拼接精度低于 10 nm.（實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)）。

CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條，無(wú)論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域

CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。

主要特點(diǎn)：

1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍

2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)                                      3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率（address size)可達(dá) 0.0012nm

4.采用軸對(duì)稱圖形書寫技術(shù)，圖形偏角分辨率可達(dá) 0.01mrad

5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測(cè)量等。

電子束光刻 CABL-9000C 系列小線寬可達(dá) 8nm，小束斑直徑 2nm，套刻精度

20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技術(shù)參數(shù)：                         1.小線寬：小于 10nm（8nm available) 2.加速電壓：5-50kV

3. 電 子 束 直 徑 ： 小 于                2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ)                                    5.拼接精度：20nm(mean+2σ)                                    6.加工晶圓尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)

7.描電鏡分辨率：小于 2nm