全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)集成電路分技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC78/SC2）下屬的集成電路電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)工作組(以下簡(jiǎn)稱“工作組")于2022年4月27日、2022年5月10日和2022年5月27日通過線上分別召開了三次工作組標(biāo)準(zhǔn)討論會(huì)。
三次會(huì)議共討論9項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，其中2項(xiàng)為集成電路電磁兼容建模標(biāo)準(zhǔn)，另外7項(xiàng)為集成電路電磁兼容測(cè)量方法標(biāo)準(zhǔn)，具體如下表所示：
| 集成電路電磁兼容建模標(biāo)準(zhǔn) | 《集成電路電磁兼容建模第2部分：集成電路電磁干擾特性仿真模型傳導(dǎo)發(fā)射建模（ICEM-CE）》(工作組討論稿) |
| 《集成電路電磁兼容建模 第3部分：集成電路電磁干擾特性仿真模型 輻射發(fā)射建模 (ICEM-RE)》(工作組討論稿) | |
| 集成電路電磁兼容測(cè)量方法標(biāo)準(zhǔn) | 《集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 第3部分：表面掃描法》（工作組討論稿） |
| 《集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 第8部分：輻射發(fā)射測(cè)量 帶狀線法》（工作組討論稿） | |
| 《集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第3部分：大電流注入（BCI）法》（工作組討論稿） | |
| 《集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第9部分：輻射抗擾度測(cè)量 表面掃描法》（工作組討論稿） | |
| 《集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 第5部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 工作臺(tái)法拉第籠法》（工作組討論稿） | |
| 《集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 磁場(chǎng)探頭法》（工作組討論稿） | |
| 《集成電路 電磁抗擾度測(cè)量 第5部分：工作臺(tái)法拉第籠法》（工作組討論稿） |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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