ETP-2-HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)
ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型（HBM）和機(jī)械模型（MM）的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用，可以對(duì)LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電抗擾度的測(cè)試。

ETP-2-HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)

產(chǎn)品概述：

ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用，可以對(duì)LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電抗擾度的測(cè)試。

產(chǎn)品說(shuō)明

 

ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，分HBM靜電測(cè)試平臺(tái)和MM靜電測(cè)試平臺(tái)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用，特別適用于如LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件的測(cè)試。
　　ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)	ETP-2_HBM	ETP-2_MM
放電網(wǎng)絡(luò)	100pF /1500Ω	200pF/0Ω
最大輸出電壓	8kV（20kV選配）	800V（4kV選配）
放電次數(shù)	1～9999
輸出極性	正 / 負(fù)
放電方式	手動(dòng) / 自動(dòng)