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關(guān)于傅立葉紅外光譜儀在半導體應用說明
閱讀：1144 發(fā)布時間：2018-9-29| 提 供 商 | 上海斯邁歐分析儀器有限公司 | 資料大小 | 3.5MB |
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傅立葉紅外技術(shù)可以快速、靈敏、無損地分析硅材料中的碳、氧含量，因此它在硅材料質(zhì)量控制領(lǐng)域被廣泛接受和應用。布魯克人在這個前沿領(lǐng)域擁有和積累了幾十年的經(jīng)驗，并結(jié)合布魯克VERTEX系列傅立葉紅外光譜儀推出了業(yè)內(nèi)專業(yè)和與時俱進的完整分析方案。
根據(jù)ASTM/SEMI MF1391標準，建立了室溫 硅中代位碳原子含量分析方法。 根據(jù)ASTM/SEMI MF1188標準，建立了室溫 硅中間隙氧含量分析方法。 可達低檢出限： < 400ppba 建議的樣品特征： 厚度0.5-2.5 毫米 (理想：約1.5 毫米) 雙面拋光 單晶或多晶型
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