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傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。在溫度檢測精度要求比較高的場合，這種傳感器比較適用。主要經(jīng)營：傳感器，變頻器，電磁閥，斷路器，PLC，接近開關(guān)，繼電器等元件.隨時歡迎您的來電垂詢。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
電流傳感器
傳感器在一定程度上它能夠提高系統(tǒng)測試的準(zhǔn)確度。這種應(yīng)變片在受力時產(chǎn)生的阻值變化通常較小，一般這種應(yīng)變片都組成應(yīng)變電橋，并通過后續(xù)的儀表放大器進(jìn)行放大，再傳輸給處理電路(通常是A/D轉(zhuǎn)換和CPU)顯示或執(zhí)行機構(gòu)。傳感器目前應(yīng)用最為廣泛的壓電材料之一，就是高壓電特性的PZT材料已經(jīng)被大量應(yīng)用在了揚聲器、超聲成像探頭、超聲換能器、蜂鳴器和超聲電機等電子器件中。最早人們利用溶膠-凝膠法制備了PZT薄膜，并在MEMS器件中進(jìn)行實際應(yīng)用，在光電子學(xué)、微電子學(xué)、微機電系統(tǒng)和集成光學(xué)等領(lǐng)域，PZT薄膜已經(jīng)被廣泛應(yīng)用。PZT薄膜材料具有高介電常數(shù)、低的聲波速度、高的耦合系數(shù)，橫向壓電系數(shù)和縱向壓電系數(shù)在三者之中最高，也被視為三者之中最為有前途的壓電薄膜材料，但是PZT薄膜制備過程復(fù)雜，與MEMS工藝兼容性較差，制備過程須嚴(yán)格控制各組分的比例，壓電特性受到晶向、成分配比、顆粒度等因素影響，重復(fù)制備高質(zhì)量的PZT薄膜存在較大困難。所以這決定了壓電傳感器只能夠測量動態(tài)的應(yīng)力因為經(jīng)過外力作用后的電荷，實際的情況不是這樣的。正壓電效應(yīng)是指：當(dāng)晶體受到某固定方向外力的作用時,內(nèi)部就產(chǎn)生電極化現(xiàn)象,當(dāng)控制閥芯突然移動時，在極短的時間內(nèi)會形成幾倍于系統(tǒng)工作壓力的尖峰壓力。在典型的行走機械和工業(yè)液壓中，如果設(shè)計時沒有考慮到這樣的極端工況，
電流傳感器
HO25-P
LV100-1200/SP8
LA100-P/SP50
HO10-P/SP50
LT308-S7/SP1
HAT1200-S
LTS25-NP
LF205-S/SP3
HLSR20-P
LT10000-S
HAL200-S
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)
IBF-B-6224-N-D-SS
QR4004SK3PXFSFIF
8-8 FQ-SS
M12MSC1/2N-316
785EN
6A-B6LJ2-SSP
8-6 RB-SS
C4-4FN-3
QR4003SK4PXXFSMIIM
UT12FN-1
E4-4FN-3
8A-C8L-1-SS
GV-MNA-K21-E-M
16 C6LO-S
B4020X120180SS
APR66B4P1XX4
16 HLO-S
QR4000SK3PFSMMMT
Y-50(0-230Psi)
SH8-63
FSCR-64
HF1200WK4PXXFS8FIIF
8 TZ-SS
JN4C-4CN
THT-3R60-25.4-3.2
SH3-62
71-3C16-16F
PM8FN-1
GAMT-888
QR4015SK4PXXFSFIIF8389
UT8FN-1
4-6 VH1T3-SSR
8-8-8 JQ-SS
2F-V4LR-SS
8 BVI-SS
381-12
HF1200SK4PXX8B
VAIEX 1/2
YTF-50H(0-4000Psi)
8-8-8 FT-SS
BNKAD6JNC2-496593C2
2F-MB4LPFA-SSP
BH4-60
CV-1-1166
FLC8
4MSEL2N-316
1NU1-316
KH38ZS
SU12-8GN-1
GAMS-84
1/2X1/4 PTR-S
PM010-10AP-DO
