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傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測(cè)量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。在溫度檢測(cè)精度要求比較高的場(chǎng)合，這種傳感器比較適用。主要經(jīng)營(yíng)：傳感器，變頻器，電磁閥，斷路器，PLC，接近開關(guān)，繼電器等元件.隨時(shí)歡迎您的來電垂詢。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
電流傳感器
傳感器在一定程度上它能夠提高系統(tǒng)測(cè)試的準(zhǔn)確度。這種應(yīng)變片在受力時(shí)產(chǎn)生的阻值變化通常較小，一般這種應(yīng)變片都組成應(yīng)變電橋，并通過后續(xù)的儀表放大器進(jìn)行放大，再傳輸給處理電路(通常是A/D轉(zhuǎn)換和CPU)顯示或執(zhí)行機(jī)構(gòu)。傳感器目前應(yīng)用最為廣泛的壓電材料之一，就是高壓電特性的PZT材料已經(jīng)被大量應(yīng)用在了揚(yáng)聲器、超聲成像探頭、超聲換能器、蜂鳴器和超聲電機(jī)等電子器件中。最早人們利用溶膠-凝膠法制備了PZT薄膜，并在MEMS器件中進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用，在光電子學(xué)、微電子學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)和集成光學(xué)等領(lǐng)域，PZT薄膜已經(jīng)被廣泛應(yīng)用。PZT薄膜材料具有高介電常數(shù)、低的聲波速度、高的耦合系數(shù)，橫向壓電系數(shù)和縱向壓電系數(shù)在三者之中最高，也被視為三者之中最為有前途的壓電薄膜材料，但是PZT薄膜制備過程復(fù)雜，與MEMS工藝兼容性較差，制備過程須嚴(yán)格控制各組分的比例，壓電特性受到晶向、成分配比、顆粒度等因素影響，重復(fù)制備高質(zhì)量的PZT薄膜存在較大困難。所以這決定了壓電傳感器只能夠測(cè)量動(dòng)態(tài)的應(yīng)力因?yàn)榻?jīng)過外力作用后的電荷，實(shí)際的情況不是這樣的。正壓電效應(yīng)是指：當(dāng)晶體受到某固定方向外力的作用時(shí),內(nèi)部就產(chǎn)生電極化現(xiàn)象,當(dāng)控制閥芯突然移動(dòng)時(shí)，在極短的時(shí)間內(nèi)會(huì)形成幾倍于系統(tǒng)工作壓力的尖峰壓力。在典型的行走機(jī)械和工業(yè)液壓中，如果設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮到這樣的極端工況，
電流傳感器
HO25-P
LV100-1200/SP8
LA100-P/SP50
HO10-P/SP50
LT308-S7/SP1
HAT1200-S
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LF205-S/SP3
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HAL200-S
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)
IBF-B-6224-N-D-SS
QR4004SK3PXFSFIF
8-8 FQ-SS
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785EN
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8-6 RB-SS
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UT12FN-1
E4-4FN-3
8A-C8L-1-SS
GV-MNA-K21-E-M
16 C6LO-S
B4020X120180SS
APR66B4P1XX4
16 HLO-S
QR4000SK3PFSMMMT
Y-50(0-230Psi)
SH8-63
FSCR-64
HF1200WK4PXXFS8FIIF
8 TZ-SS
JN4C-4CN
THT-3R60-25.4-3.2
SH3-62
71-3C16-16F
PM8FN-1
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QR4015SK4PXXFSFIIF8389
UT8FN-1
4-6 VH1T3-SSR
8-8-8 JQ-SS
2F-V4LR-SS
8 BVI-SS
381-12
HF1200SK4PXX8B
VAIEX 1/2
YTF-50H(0-4000Psi)
8-8-8 FT-SS
BNKAD6JNC2-496593C2
2F-MB4LPFA-SSP
BH4-60
CV-1-1166
FLC8
4MSEL2N-316
1NU1-316
KH38ZS
SU12-8GN-1
GAMS-84
1/2X1/4 PTR-S
PM010-10AP-DO
