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北京中瑞祥科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第7年

17316027162

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中瑞祥廠家場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀使用方法注意事項(xiàng)

時(shí)間:2023/2/6閱讀:686
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中瑞祥廠家場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀使用方法注意事項(xiàng)

 

 

 

注意事項(xiàng)

    1、開機(jī)前應(yīng)把Idm開關(guān)和壓開關(guān)撥在OFF 位上。

    2、測(cè)量Idm Gfs 時(shí)須插好被測(cè)管,夾好S2 夾頭后方可打開 Idm 測(cè)量開關(guān),測(cè)量畢后須關(guān)斷Idm開關(guān),才可松開S2 鱷魚夾頭。不允許在沒有關(guān)閉Idm開關(guān)時(shí)就去松開S2 鱷魚夾頭,這樣會(huì)產(chǎn)生大電流火花,很容易損壞被測(cè)器件。

    3、測(cè)量 Idm1 時(shí)電流表讀數(shù)可能會(huì)有飄移,電流越大相對(duì)飄移也越大,這是被測(cè)管發(fā)熱所至,系正?,F(xiàn)象,可以采用快速讀數(shù)或等其熱穩(wěn)定后再讀數(shù)(用于大電流致性測(cè)量時(shí)更需要采用快數(shù)讀數(shù)的方法)。 般N 溝導(dǎo)管電流的熱飄移,數(shù)字表讀數(shù)會(huì)逐漸增大;P 溝導(dǎo)管的熱飄移,數(shù)字表讀數(shù)會(huì)逐漸減小。 若被測(cè)管在測(cè)試Idm1 電流時(shí)數(shù)字表尾數(shù)讀數(shù)無規(guī)則的波動(dòng),不同于熱飄移,則應(yīng)考慮可能是該器件內(nèi)噪聲過大所致。

    4、標(biāo)稱電流大的器件在 Idm1 電位器調(diào)節(jié)時(shí),電流會(huì)調(diào)節(jié)到80A 以上,但這個(gè)電流值并不適宜用作跨導(dǎo)的測(cè)量,也不適宜用作大電流的致性配對(duì),因?yàn)樵陔娏鬟^ 60A 后測(cè)量誤差將明顯增加,測(cè)量的讀數(shù)也變的很不穩(wěn)定。

    5、測(cè)量VDSS VGS(th)時(shí),壓開關(guān)須撥在OFF 位上,測(cè)量時(shí)須采用VDSS VGS(th)按鈕測(cè)量。

    6、當(dāng)Idm電流過約30A 左右時(shí),儀器內(nèi)可能會(huì)產(chǎn)生輕微的噠、噠、噠的聲音,系正?,F(xiàn)象。

    7、測(cè)試盒的插座系易損品,使用中應(yīng)輕插輕拔,要盡可能的延長(zhǎng)插座的使用壽命,禁止管腳十分毛糙的器件插入管座中,對(duì)這些管腳毛糙的器件應(yīng)整平打光后再測(cè)試,但采用測(cè)試線測(cè)量法(測(cè)試線測(cè)量法見附圖)。 儀器的附件中有四個(gè)插座附件,損壞后可按測(cè)試盒接線圖自行更換,插座附件系通用接插件,用后可以到電子市場(chǎng)購買。

    8、兩根粗的測(cè)試線上的香蕉插頭和鱷魚夾頭,須有良好的彈性,以保持較小的接觸電阻,當(dāng)彈性減弱時(shí)須行修理或更換。

9、儀器使用畢后應(yīng)把Idm開關(guān)和壓開關(guān)撥在OFF 位上。

 

使用方法

    打開電源開關(guān)前應(yīng)檢查:Idm開關(guān)和壓開關(guān)應(yīng)撥在OFF 位置上。

    1、塑封率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試: 按五條:測(cè)試盒和附加測(cè)試線"的說明,連接好場(chǎng)效應(yīng)管專用測(cè)試盒和專用的兩根粗的附加測(cè)試線。

    (1)、擊穿電壓 VDSS 和柵開啟電壓 VGSth)的測(cè)量:根據(jù)被測(cè)管測(cè)量 VDSS VGS th)的術(shù)條件,選擇好Idss 開關(guān)上的電流值(在不知道測(cè)試條件時(shí)般是MOS 率場(chǎng)效應(yīng)管選擇250uA,IGBT 選擇1mA)。把壓開關(guān)撥至ON,調(diào)節(jié)壓調(diào)節(jié)"電位器使數(shù)字表顯示在大于被測(cè)器件擊穿電壓的 130[%]-150[%]左右,測(cè)試時(shí)只要擊穿示燈亮了就說明電壓已經(jīng)夠了,反之則再調(diào)些也無仿,注意:調(diào)好后須把"開關(guān)關(guān)斷(OFF 位置上)。

    把被測(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管插入VDSS /VGSth)測(cè)試座(注意:不管是TO-220 TO-3P 封裝的,都須把中間的D 對(duì)應(yīng)的插入插座中間孔“D"中)。若測(cè)VDSS 則把測(cè)試盒右測(cè)開關(guān)撥至 VDSS 位,然后按下儀器右下方的 VDSS 按鈕,電壓表立即顯示該被測(cè)管的擊穿電壓值。再把測(cè)試盒開關(guān)撥至VGS(th),按下儀器右下方的VGS(th)按鈕,電壓表立即顯示該被測(cè)管的柵開啟電壓值,般在2 - 6V 范圍內(nèi)。

    例:IRFZ44N測(cè)試VDSS VGS(th)時(shí)的Idss 電流要求為250uA,所以把Idss 開關(guān)撥至250uA, 把測(cè)試盒開關(guān)撥至VDSS,按下VDSS 測(cè)量按鈕,電壓表顯示為60V,再把測(cè)試盒開關(guān)撥至 VGS(th),按下VGS(th)測(cè)量按鈕,電壓表顯示為2.5V。 測(cè)試結(jié)果為:擊穿電壓VDSS = 60V,柵開啟電壓VDS(th) = 2.5V 。

    (2)、跨導(dǎo)Gfs 的測(cè)試:測(cè)試跨導(dǎo)Gfs 時(shí)須使用兩根粗的附加測(cè)試線,并根據(jù)五條3 點(diǎn)的要求連接好,測(cè)試前儀器右上角的Idm開關(guān)須撥在OFF 上。 插上被側(cè)管,并把S2 線的鱷魚夾頭,夾住被測(cè)管的S1 腳根(注意:不要和D 短路)。把Idm開關(guān)撥至ON,會(huì)看到短路示燈亮后即滅,機(jī)內(nèi)的蜂鳴器響后又停,屬正?,F(xiàn)象。 后調(diào)節(jié)脈沖電流Idm1 粗調(diào)和細(xì)調(diào)電位器,至被測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試Gfs 參數(shù)時(shí)的電流值,當(dāng)數(shù)字基本穩(wěn)定后按下脈沖電流 Idm2 測(cè)試按鈕,并讀取電流值。(分常用率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試參數(shù)請(qǐng)參照后面的參數(shù)表)

    本儀器跨導(dǎo)Gfs 的計(jì)算方法:S = Idm2 - Idm1×10,般用心算即可讀取。

    例:IRFZ44N 測(cè)試跨導(dǎo)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電流要求為25A,則粗細(xì)調(diào)節(jié)Idm1 25.0A,當(dāng)按下Idm2 按鈕時(shí)電流顯示為27.3A,則該管的跨導(dǎo)S = 27.3 - 25.0×10 = 23 。 測(cè)試畢后須把Idm開關(guān)關(guān)斷(撥至OFF)方可更換另管子。 正宗某公司生產(chǎn)的同型號(hào)同批次的管子,其跨導(dǎo)參數(shù)的離散性般較小,測(cè)試時(shí)用抽檢方式即可。

    (3)、大電流條件下 ID 致性測(cè)試(即配對(duì)):該方法主要用于批同型號(hào)同的場(chǎng)效應(yīng)管,在柵壓不變的條件下,測(cè)試其大電流ID 的致性。 由于率場(chǎng)效應(yīng)管在同柵壓條件下輸出的ID 值往往有很大的離散性,即使是同公司生產(chǎn)的同批次管子也不能保證其 ,對(duì)于不同公司生產(chǎn)的同型號(hào)管子其 ID 的差別有時(shí)候會(huì)相差很大,所以大電流條件下ID 致性測(cè)試,是用于多個(gè)并聯(lián)應(yīng)用或推挽應(yīng)用電路中很重要的步。(測(cè)試操作方法同跨導(dǎo)測(cè)試法的Idm1 電流測(cè)量)。 致性測(cè)試前請(qǐng)選擇好參考樣管。

    2、塑封率IGBT 管的測(cè)試: 塑封率IGBT 管的測(cè)試方法和測(cè)試率場(chǎng)效應(yīng)管相同,所不同的僅是引出腳的名稱和被測(cè)參數(shù)的符號(hào)有區(qū)別。

     率場(chǎng)效應(yīng)管 IGBT 管) 漏源擊穿電壓:VDSS 集發(fā)擊穿電壓: V(BR)CES 柵開啟電壓:VGS(th) 柵開啟電壓: VGE(th) 漏源漏電流:Idss 集發(fā)漏電流:Ices 漏電流:ID 集電電流:IC 跨導(dǎo):Gfs 跨導(dǎo):Gfs 漏:D 集電:C 柵:G 柵:G 源 : S 發(fā)射:E

    3、其它封裝形式的率場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT 管的測(cè)試: 本儀器提供的測(cè)試盒主要用于TO-126TO-220、TO-3P 等封裝形式的場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT 管的測(cè)試用,對(duì)于非上述封裝形式的器件(包括模塊型),本儀器提供有測(cè)試線,也同樣可以行參數(shù)的測(cè)量,具體的連接方法請(qǐng)參照測(cè)試線測(cè)量法連接圖"。

    4、其它更大標(biāo)稱電流和率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT 的測(cè)試: 雖然本儀器對(duì)器件的標(biāo)稱電流和率的測(cè)量范圍界定在約85A/300W以內(nèi),那是根據(jù)器件廠家在術(shù)條件上所規(guī)定的測(cè)量要求而已,實(shí)際上當(dāng)你所使用的器件出本儀器的界定范圍以外時(shí),儀器同樣可以行Idm=50A 的條件下測(cè)試跨導(dǎo)參數(shù),同樣可以測(cè)量VDSS Vgs(th)。

    5、各類晶體三管、二管擊穿電壓的測(cè)試,穩(wěn)壓管、壓敏電阻電壓的測(cè)試等: 測(cè)量各類晶體三管、二管的擊穿電壓,穩(wěn)壓管、壓敏電阻電壓時(shí)的方法請(qǐng)看測(cè)試線測(cè)量法


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