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導電微晶靜電場描繪儀 的簡介.

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.知識準備

1. 關鍵詞:模擬法,靜電場,穩(wěn)恒電流場,等位線,電力線;

2. 用模擬法測繪靜電場分布的原理;

3. 高斯定律。

二.實驗目的          

       1、學習用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學形式的物理場;

     2、描繪出分布曲線及場量的分布特點;

     3、加深對各物理場概念的理解;

     4、初步學會用模擬法測量和研究二維靜電場。

主要技術參數(shù):

1.     HDGVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內置四種電極

(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形或飛機機翼電場)。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓印有極坐標(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調節(jié)電壓,調節(jié)細度可達0.01V。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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