3PX500-495HF ASM調(diào)功器AEG

SOR 4NN-EE4-N4-C2A-(2~25PSI 750PSI 1000PSI) 0～1000psi                  壓力開關(guān)
SOR 4NN-EE5-N4-B1A-X371 3-50PSI 750PSI 1000PSI 壓力開關(guān)
SOR 54NN-K118-N4-B1A-X371 30-0 IN HG 750PSI 1000PS
 壓力開關(guān)
SOR 9411-K118-N4-B1A-X371(30-0IN HG) 750PSI 1000PSI SOR 0～1000psi  壓力開關(guān)
SOR 9NN-EE45-M4-C1A-X371 200-1750PSI 2500PSI 6000PSI 壓力開關(guān)
SOR 1NN-EE45-M4-C2A 
SOR 4NN-EE4-N4-C2A 
SOR  4NN-EE5-N4-B1A 
SOR 9NN-EE45-M4-C1A  
Stieber GFK 25 
Georg Fischer PVC/EPDM 50DN40 
Georg Fischer ER52-1 限位開關(guān)
Vossloh-Schwabe Deutschland GmbH Z400M D20 Ref. 138519 
Vossloh-Schwabe Deutschland GmbH Z400S D20 Ref.141583 
CEMP AB30 80B 4 電機(jī)Cemp AB30r 80B 4 V1 3F 230D/400S/50 0.75

特性

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。

可控硅的主要參數(shù)有：

1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担?/p>

四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維

不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

可控硅有多種分類方法。

（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：

常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。

（七）非過零觸發(fā)-無

可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。

3PX500-495HF ASM調(diào)功器AEG