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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 環(huán)保,化工 |
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nanoplus InGaAsSb 光電二極管
nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結晶品質和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內，峰值波長為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm和?3mm，具有響應速度快、靈敏度高等特點，非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測等領域。
nanoplus InGaAsSb 光電二極管主要特點
波長范圍1000nm-2600nm
?1mm，?2mm和?3mm有效面積
采用TO5封裝，帶或不帶制冷器
高靈敏度氣體分析
過程控制、環(huán)境監(jiān)測
各種分析儀器等
nanoplus InGaAsSb(銻砷化銦鎵) 光電二極管主要參數特性：
| 主要參數特性 (T = 25 °C) | 符號 | 單位 | 標準 |
| Spectral response range | I | nm | 1000-2600 |
| Peak sensitivity wavelength | Ip | nm | 1880 |
| Peak responsivity | Rp | A/W | 0.66 |
| Dark current without bias | ID | nA | 95 |
| Junction capacitance | CJ | pF | 41 |
| Shunt resistance | Rsh | Ω | 17 |
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