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原子層沉積系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)有哪些？
原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)，也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，或原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)。
原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源，化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
ALD的優(yōu)點(diǎn)包括：
1. 可以通過(guò)控制反應(yīng)周期數(shù)控制薄膜的厚度，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜；
3. 可生成*的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜，作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
5. 薄膜生長(zhǎng)可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下)；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底；
7. 原子層沉積生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件，生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢(shì)壘。