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BSM100GB60DLC英飛凌IGBT功率模塊
可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT管的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制IGBT管的。當(dāng)柵極加正電壓時，OSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，此時高耐壓的IGBT管也具有低的通態(tài)壓降 在柵極上加負(fù)電壓時。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
BSM100GB60DLC英飛凌IGBT功率模塊 原裝現(xiàn)貨
一、可測試種類
1．二極管 Diode
2．穩(wěn)壓（齊納）二極管 Zener
3．晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
4．可控硅整流器（普通晶閘管） SCR
5．雙向可控硅（雙向晶閘管） TRIAC
6．MOS場效應(yīng)管 Power MOSFET（N-溝/P-溝）
7．結(jié)型場效應(yīng)管 J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）
8. 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR（正電壓/負(fù)電壓，固定/可變）
9．絕緣柵雙功率晶體管 IGBT（NPN型/PNP型）
10.光電耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12.光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH
13.達(dá)林頓陣列
14.固態(tài)過壓保護(hù)器 SSOVP
15.硅觸發(fā)開關(guān) STS
16.繼電器 RELAY（A、B、C型）
17.金屬氧化物壓變電阻 MOV
18.壓變電阻 VARISTO
19.雙向觸發(fā)二極管 DIAC
BSM100GB60DLC英飛凌IGBT功率模塊
二、技術(shù)參數(shù)及可實現(xiàn)目標(biāo)
主極電壓：1000V 通過內(nèi)部設(shè)置可擴(kuò)展到：2000V
主極電流:50A 加選件可擴(kuò)展到：400A/500A/1000A/1250A
控制極電壓:20V 加大電流臺選件可擴(kuò)展到：80V
控制極電流:10A 加大電流臺選件可擴(kuò)展到：40A
電壓分辨率:1mV
電流分辨率:100pA 加小電流臺選件可擴(kuò)展到：1pA