Sn2Te晶體，拓?fù)浣^緣體

中文名稱：Sn2Te晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體

禁帶寬度：0.1eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：易

保存注意事項(xiàng)：晶體穩(wěn)定，需要避免水氧保存

保存時(shí)間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

用途：僅用于科研，不能用于人體

西安吳然生物供應(yīng)紫磷晶體，黑磷晶體，碲化鋯晶體，硒化鈀晶體，黑磷-砷晶體，硒化銦晶體，硒化錸晶體，硒化鉭晶體等等產(chǎn)品。

Sn2Te晶體，拓?fù)浣^緣體

Sn2Te是錫（Sn）和碲（Te）的化合物，是一種層狀結(jié)構(gòu)的材料。它是一種拓?fù)浣^緣體，具有電子能帶結(jié)構(gòu)和拓?fù)湫再|(zhì)。

這種化合物的晶體結(jié)構(gòu)由錫和碲原子以層狀排列組成，形成類似于石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)。Sn2Te在室溫下是一個(gè)半導(dǎo)體，并且在層間存在著拓?fù)浣^緣態(tài)，這使得它在電子學(xué)和量子信息領(lǐng)域備受關(guān)注。

Sn2Te因其電子結(jié)構(gòu)，在表面態(tài)和邊緣態(tài)方面的性質(zhì)，被認(rèn)為對(duì)于拓?fù)淞孔佑?jì)算和量子信息處理有潛在應(yīng)用。研究人員正在探索它在拓?fù)浣^緣體、量子霍爾效應(yīng)以及其他拓?fù)潆娮訉W(xué)方面的潛在應(yīng)用。

相關(guān)產(chǎn)品：

紫磷晶體 Violet Phosphorus crystal

黑磷晶體 Black Phosphorus

碲化鋯晶體 ZrTe3 Crystal

硒化鈀晶體 PdSe2 Crystal

黑磷-砷晶體 Black phosphorus - As crystal

硒化銦晶體 In2Se3 Crystal

硒化錸晶體 ReSe2 Crystal

硒化鉭晶體 2H-TaSe2 Crystal

硒化錫晶體 SnSe2(Tin Selenide)

硒化鎵晶體 GaSe Crystal

硒化釩晶體 VSe2 Crystal

硒化鉿晶體 HfSe2 Crystal

紫磷晶體粉末 Violet Phosphorus powder

以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。