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目錄:筱曉(上海)光子技術有限公司>>光電探測器>>Si硅光電二極管>> 硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)

硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)
  • 硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海
屬性

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更新時間:2024-12-05 21:51:42瀏覽次數(shù):1413評價

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產(chǎn)地類別 進口 應用領域 化工,能源,建材/家具,電子/電池
硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見光到近紅外,峰值響應波長905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。
總覽

Si 硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見光到近紅外,峰值響應波長905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點:

正照平面型芯片結構

高速響應

高增益

低結電容

低噪聲


產(chǎn)品應用:

激光測距

激光雷達

激光警告

技術參數(shù):

光電性能(@Ta=22±3℃)


 

器件型號

光譜響應范

(nm)

峰值響

應波長

(nm)

響應度

λ =905nm

φ e =1μW

M=100

(A/W)

暗電流

M=100

(nA)

響應時間

λ =905nm

R L =50Ω

(ns)

工作電壓

溫度系數(shù)

T a =-40℃

~85℃

(V/℃)

總電容

M=100

f=1MHz

(pF)

擊穿電壓

I R =10μA

(V)

典型

最大

最小

最大

APD-SI-905-2-TO46

400~1100

905

55

0.2

1

0.6

0.9

1.0

130

220

APD-SI-905-5-TO46

0.4

1

1.2

APD-SI-905-8-TO46

0.8

2

2.0

APD-SI-905-2-LCC3

0.2

1

1.0

APD-SI-905-5-LCC3

0.4

1

1.2

 

 

結構/最大絕對額定值

器件型號

封裝形式

光敏面直徑

(mm)

工作電壓

(V)

工作溫度

(℃)

儲存溫度

(℃)

焊接溫度

(℃)

正向電流

(mA)

耗散功率

(mW)

APD-SI-905-2-TO46

TO-46

0.23

0.9×V BR

-40~85

-45~100

260

0.25

100

APD-SI-905-5-TO46

TO-46

0.50

APD-SI-905-8-TO46

TO-46

0.80

APD-SI-905-2-LCC3

LCC3

0.23

APD-SI-905-5-LCC3

LCC3

0.50

 

 

產(chǎn)品型號

 

名稱

型號

描述

價格

貨期

硅雪崩光電二極管

 

APD-SI-905-2-TO46

光譜響應范圍:400-1100nm

峰值響應波長:905nm

光敏面直徑:0.23mm

封裝:TO46



硅雪崩光電二極管

 

APD-SI-905-5-TO46

光譜響應范圍:400-1100nm

峰值響應波長:905nm

光敏面直徑:0.50mm

封裝:TO46



硅雪崩光電二極管

 

APD-SI-905-8-TO46

光譜響應范圍:400-1100nm

峰值響應波長:905nm

光敏面直徑:0.80mm

封裝:TO46



硅雪崩光電二極管

 

APD-SI-905-2-LCC3

光譜響應范圍:400-1100nm

峰值響應波長:905nm

光敏面直徑:0.23mm

封裝:LCC3



硅雪崩光電二極管

 

APD-SI-905-5-LCC3

光譜響應范圍:400-1100nm

峰值響應波長:905nm

光敏面直徑:0.50mm

封裝:LCC3



 

 

典型特性曲線


302.png


303.png



304.png


305.png


封裝外形、尺寸及引腳定義

APD-SI-2-2/5/8-TO46(三腳和兩腳封裝)


306.png


APD-SI-2-2/5-LCC3


307.png


308.png


等效電路及應用電路



309.png






310.png






注:C 1 -濾波電容,濾除偏置工作電壓 V R 的噪聲。

C 2 -旁路電容,為交流信號提供對地回路。

R 1 -限流電阻,防止偏置工作電壓 V R 過高時,損壞探測器。

R i -取樣電阻,將光電流轉化為電壓信號。

定購信息:


型號規(guī)則


【APD-SI-響應波長-光敏面直徑-封裝形式】


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