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8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器
  • 8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器

貨物所在地:上海上海

更新時(shí)間:2025-01-23 21:00:07

瀏覽次數(shù):104

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8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。
8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器總覽

器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器技術(shù)參數(shù)

特點(diǎn):

平面正照結(jié)構(gòu)

快速響應(yīng)

低暗電流

高響應(yīng)度

高可靠性

 

應(yīng)用領(lǐng)域:

光纖通信、傳感、測(cè)距

可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)

快速光脈沖檢測(cè)

各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

 

產(chǎn)品參數(shù):

參數(shù)

號(hào)

測(cè)試

條件

    

單位

光敏面尺寸



Φ0.2

Φ0.5

Φ1

Φ2

Φ4

Φ5

Φ8

0.5X0.5

1X1

1.3X1.3

2X2

3X3

mm

 

 

光參數(shù)

光譜響應(yīng)

范圍

 

λ


 

400~1100


 

nm

 

響應(yīng)度

 

Re

VR=15V

λ=900nm

 

0.40

 

0.45

 

0.5

 

0.5

 

0.5

 

0.5

 

0.55

 

0.45

 

0.45

 

0.5

 

0.5

 

0.5

 

A/W

 

響應(yīng)時(shí)間

 

tr

VR=15V,

RL=50Ω

 

2

 

5

 

6

 

8

 

15

 

15

 

25

 

3.5

 

5

 

8

 

10

 

15

 

nS

電參數(shù)

暗電流

ID

VR=15V

1

2

3

5

12

40

60

3

3

4

6

10

nA

反向擊穿

電壓

 

VBR

 

IR=10μA

 

100

 

50

 

80

 

V

 

電容

 

Cj

f=1MHz

VR=15V

 

0.8

 

1.2

 

2.0

 

6

 

20

 

30

 

70

 

6.0

 

3

 

3

 

10

 

25

 

pF

工作電壓

VR


0~15

V

 

管座型號(hào)



同軸 II 型、5501、

TO46、插拔式、帶尾纖

 

T0-5

 

TO-8

同軸 II 型、5501、

TO46、插拔式、T05

 

T0-5


飽和光功率?0.3w/cm2

*器件的光敏面尺寸及技術(shù)指標(biāo)可根據(jù)用戶的使用要求而定;具體參數(shù)及器件管殼使用引腳詳見產(chǎn)品附帶參數(shù)表.

 

 

 

封裝尺寸:

封裝圖片

尺寸信息

訂購(gòu)代碼

搜狗截圖20210831113159.png

415.png

 

 

C-II

搜狗截圖20210831113329.png

搜狗截圖20210831113408.png

 

TO46

搜狗截圖20210831113439.png


 搜狗截圖20210831113501.png

 

 

 

5501

搜狗截圖20210831113530.png

搜狗截圖20210831113548.png

 

 

TO5A

搜狗截圖20210831113610.png

搜狗截圖20210831113627.png

 

 

TO5B

搜狗截圖20210831113650.png

搜狗截圖20210831113714.png

 

 

TO8

搜狗截圖20210831113737.png

417.png

 

 

FC-SA

搜狗截圖20210831113838.png

418.png

 

 

ADP

 

 

 

注意事項(xiàng)

該器件在反向偏置電壓下工作,注意器件極性不能接反。

光纖彎曲度不能小于 45 度。

器件在貯運(yùn)、使用中注意靜電防護(hù)措施。


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