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3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm
  • 3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm

貨物所在地:上海上海

更新時(shí)間:2025-01-23 21:00:07

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3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm ,PV-2TE系列反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍,以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。
3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm總覽

PV-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍,以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

3μm中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12μm ,PV-2TE系列產(chǎn)品特點(diǎn)

● 含有兩級(jí)TE制冷以提高探測(cè)器性能

● 可探測(cè)中紅外波長范圍2-12μm

● 可配專用前置放大器

● 帶有抗反射涂層窗口鏡

封裝及尺寸

2TE-TO8封裝尺寸圖

2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


2TE-TO66封裝尺寸圖

2TE-TO66引腳定義

功能

引腳編號(hào)

探測(cè)器

7,8

熱敏電阻

5,6

TE致冷供給

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測(cè)

● 中紅外激光探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PV-2TE-3

PV-2TE-3.4

PV-2TE-4

PV-2TE-5

PV-2TE-6

PV-2TE-8

PV-2TE-10.6

有源元件材料

外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)


波長λopt,μm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

探測(cè)靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

≥1×1011

≥6×1010

≥4×1010

≥1.5×1010

≥5×109

≥4×108

≥2×108

探測(cè)靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

≥7×1010

≥4×1010

≥3×1010

≥9×109

≥2×109

≥2×108

≥1×108

電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.3

≥1.5

≥0.8

≥0.4

時(shí)間常數(shù)T,ns

280

200

≤100

≤80

≤50

≤45

≤10

電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2

≥150

≥3

≥2

≥0.1

≥0.02

≥0.0002

≥0.0001

有源元件溫度Tdet,K

~230

感光面面積A,mm×mm

0.05×0.05,0.1×0.1

0.05×0.05

封裝

TO8,TO66

接收角Φ

70°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PV-2TE.jpeg

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

PV-2TE2.jpeg

(更多關(guān)于MCT探測(cè)器 MCT探測(cè)器 )



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