国产精品视频一区二区三区四,亚洲av美洲av综合av,99国内精品久久久久久久,欧美电影一区二区三区电影

非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚度測(cè)試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠(chǎng)商提供測(cè)試和解決方案。

憑借優(yōu)良的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線(xiàn)，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠(chǎng)商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、襯底和外延廠(chǎng)商、光伏電池片測(cè)試。

霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱(chēng)為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ