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安徽奧科試驗設備有限公司
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半導體芯片的冷熱沖擊試驗

時間:2023/1/17閱讀:842
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芯片主要組成物質(zhì)是硅,內(nèi)部結(jié)構(gòu)有4大部分:傳感器,分立器件,集成電路,光電器件。集成電路屬于半導體芯片中很重要的一部分,它把數(shù)量龐大的晶體管集中到一個小的金屬片上。芯片做得越小,內(nèi)部的晶體管數(shù)量越多,耗能,電容效應,開關頻率越小,性能更好。
溫度的改變對半導體的導電能力、極限電壓、極限電流以及開關特性等都有很大的影響。半導體芯片上的元器件分布很密,元器件之間空間非常小,當溫度過高時,元器件體積發(fā)生膨脹、擠壓,半導體芯片可能因為擠壓產(chǎn)生裂紋報廢。若溫度太高,集成電路在工作的時候過熱激發(fā)高能載流子會增大晶體管被擊穿短路的概率;晶體管性能隨溫度會發(fā)生變化,高溫會使部分電路因為性能變化無法正常工作;高溫提高電遷移導致導線工作壽命下降。如果溫度過低,往往會造成芯片在額定工作電壓下無法打開其內(nèi)部的半導體開關,導致其不能正常工作。
所以,芯片在生產(chǎn)過程中,需要對其進行冷熱沖擊試驗。一般情況下,民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃,軍*芯片性能更高,正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍,當芯片不工作時,可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。



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