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CVD是化學(xué)氣相沉積的簡稱，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，理論上即：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實(shí)驗(yàn)設(shè)備則由三套及以上的設(shè)備組合而成即：高溫爐（提供實(shí)驗(yàn)溫度）+供氣系統(tǒng)（提供多種氣體混合）+真空系統(tǒng)（提供真空實(shí)驗(yàn)環(huán)境）。

化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備的靈活度很高，客戶可根據(jù)自己實(shí)驗(yàn)要求選擇合適的產(chǎn)品來組合，或者直接選擇CVD套裝。

一、高溫爐的選擇

     一般都是選擇管式爐，管式爐為CVD實(shí)驗(yàn)提供材料沉積所需要的溫度。根據(jù)材料的大小，以及實(shí)驗(yàn)需要的溫度選擇合適溫度，合適口徑的管式爐。

二、供氣系統(tǒng)選擇：

     供氣系統(tǒng)即混氣裝置，它可以實(shí)現(xiàn)2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中。供氣系統(tǒng)中使用了不同種類的流量計(jì)，根據(jù)氣體的性質(zhì)決定。本公司的供氣系統(tǒng)流量計(jì)一般使用了2類，見如下說明：

1.氣體流量計(jì)：

浮子流量計(jì)：氣體通過普通的浮子流量計(jì)粗略的估計(jì)進(jìn)氣量。

質(zhì)量流量計(jì)：氣體通過D07質(zhì)量流量計(jì)精確控制進(jìn)氣量。

2、氣液混合流量計(jì)：

用于液體高溫氣化后導(dǎo)入CVD系統(tǒng)的設(shè)備。

三、真空系統(tǒng)選擇：

      真空系統(tǒng)為CVD實(shí)驗(yàn)提供實(shí)驗(yàn)的真空環(huán)境，將管式爐中的空氣抽走，達(dá)到真空的環(huán)境?？蛻舾鶕?jù)自己實(shí)驗(yàn)所需真空度大小及實(shí)驗(yàn)所需清潔程度來選擇合適的真空裝置。

（1）低真空系統(tǒng)。采用雙級真空泵，標(biāo)配電阻規(guī)真空計(jì)；

（2）高真空系統(tǒng)。采用進(jìn)口分子泵，自帶真空計(jì)或者采用國產(chǎn)分子泵，自帶真空計(jì)。