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LAM RESEARCH 配件715-031199-001 技術(shù)參數(shù)

時(shí)間:2024/7/10閱讀:145
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刻蝕工藝通過選擇性地移除沉積過程中添加的介電(絕緣)材料和金屬(導(dǎo)電)材料,協(xié)助形成芯片構(gòu)件。這些工藝涉及使用多種材料制造越來越小、越來越復(fù)雜的高窄形構(gòu)件。采用的主要技術(shù)為反應(yīng)離子刻蝕(RIE),該技術(shù)用離子(帶電粒子)轟擊硅片表面,以移除相應(yīng)的材料。對于最微小的構(gòu)件,原子層刻蝕(ALE)可以一次移除數(shù)層原子層。導(dǎo)體刻蝕工藝精確地形成晶體管等重要電氣組件,介電質(zhì)刻蝕工藝則形成保護(hù)導(dǎo)電部分的絕緣結(jié)構(gòu)。利用刻蝕工藝還可形成高柱狀構(gòu)件,如硅通孔(用于連接芯片)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中所用構(gòu)件。
無論高窄、短寬或是只有幾納米大小,泛林集團(tuán)等離子刻蝕系統(tǒng)都可以為形成這些精確結(jié)構(gòu)提供必要的高性能和高生產(chǎn)力。
晶圓邊緣刻蝕用于半導(dǎo)體制程各道工序之間,可清除晶圓邊緣無用的掩膜、殘留物和薄膜。如果不清洗,這些材料就會(huì)成為缺陷源。例如,它們可能會(huì)剝落并在隨后的工藝流程中重新沉積在器件區(qū)域。如果有顆粒落在器件關(guān)鍵部位,即使只有一個(gè),也可能毀掉整塊芯片。通過在關(guān)鍵工藝位節(jié)點(diǎn)插入晶圓邊緣清洗工藝,可以消除這些潛在的缺陷源,從而產(chǎn)出更多合格芯片。
或者,由晶圓邊緣沉積提供一層保護(hù)膜來覆蓋此區(qū)域。例如,在諸如 3DNAND 等良好存儲(chǔ)器器件中,需要超長時(shí)間的刻蝕工藝。這些長時(shí)間的工藝步驟可能會(huì)對晶圓邊緣襯底造成嚴(yán)重?fù)p壞,以至于如果沒有這種保護(hù)屏障,晶圓根本就不會(huì)產(chǎn)出。在 3D 封裝的晶圓鍵合中,這一晶圓邊緣沉積層在載體與器件之間提供機(jī)械支持,從而防止崩裂、平整薄膜并確保高品質(zhì)的鍵合。
泛林集團(tuán)的 Coronus® 晶圓邊緣刻蝕和沉積系列產(chǎn)品具備等離子工藝的精確控制和靈活性,可以和其它有效芯片區(qū)域保護(hù)技術(shù)一起用于保護(hù)晶圓邊緣以提高芯片良率。
Industry Challenges
芯片制造商越來越注重減少邊緣損耗,以此作為增加晶圓邊緣有效芯片數(shù)量的重要策略,因而晶圓邊緣工程成為開發(fā)團(tuán)隊(duì)的首要工作。晶圓邊緣薄膜疊層的機(jī)械磨損或應(yīng)力可能導(dǎo)致薄膜分層,隨后重新沉積在晶圓正面,因而影響良率。在浸入式光刻技術(shù)中,邊緣存在的缺陷會(huì)被帶到晶圓關(guān)鍵區(qū)域,導(dǎo)致良率下降,因此晶圓邊緣完整性至關(guān)重要。晶圓邊緣區(qū)域清洗或沉積步驟有助于消除晶圓邊緣的良率限制因素,解決上述問題。
Key Customer Benefits
選擇性地移除晶圓邊緣的無用材料,提高良率
運(yùn)用 的等離子處理技術(shù),保護(hù)有效芯片的區(qū)域
同步清除多種材料的薄膜疊層和殘留物,確保高生產(chǎn)效率
行業(yè) 能清除非晶碳薄膜和富碳?xì)埩粑锏倪吘壡逑串a(chǎn)品
去除金屬膜,防止在后續(xù)的等離子刻蝕或沉積步驟中形成電弧
消除了邊緣崩裂和輪廓滾降等晶圓鍵合問題
防止在長時(shí)間的濕法刻蝕過程中對晶圓邊緣的襯底造成損壞

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