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愛安德介紹關于EUV曝光設備
EUV（Extreme Ultraviolet的縮寫）曝光設備是一種使用被稱為極紫外光的極短波長光的半導體曝光設備?？梢约庸な褂肁rF準分子激光的傳統(tǒng)曝光設備難以加工的更精細尺寸。
半導體小型化正在按照摩爾定律進行（半導體集成電路的高度集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍）。到目前為止，通過稱為步進器的縮小投影曝光技術、更短的曝光波長和浸沒式曝光技術的開發(fā)，分辨率已得到顯著提高。
小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。
R=k·λ/NA *k為比例常數(shù)，λ為曝光波長，NA為曝光光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑
通過各種技術的發(fā)展，通過減小k、減小λ和增大NA來實現(xiàn)小型化。
EUV曝光設備是一種可以通過縮短曝光波長來突破以往限制的技術，近年來已開始量產(chǎn)。
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