露點(diǎn)儀在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)工藝中起重要監(jiān)測(cè)作用。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)是在凈化間內(nèi)進(jìn)行的。凈化間規(guī)范往往包括相對(duì)濕度（RH）這一項(xiàng)，一年內(nèi)控制點(diǎn)的范圍從35%到65%，精度2%（70℃以下）濕度超標(biāo)會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)計(jì)劃的完成。

在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)區(qū)，濕度不穩(wěn)定，會(huì)出現(xiàn)很多問題。最典型的問題是烘干期延長(zhǎng)，整個(gè)處理過程變得難以控制。當(dāng)相對(duì)濕度高于35%時(shí)，元件易被腐蝕。此外，將顯影液噴在芯片表面時(shí)，顯影液迅速揮發(fā)，使芯片表面溫度下降，致使水汽凝結(jié)在芯片表面。凝結(jié)水不但會(huì)影響顯影特性，還會(huì)吸收到半導(dǎo)體內(nèi)，這將導(dǎo)致膨化及其它質(zhì)量缺陷，還必須增加一些不必要的工藝控制。

凈化間常用的除濕方法有兩種。一種是調(diào)節(jié)空氣，另一種是除濕劑。采用第一種方法時(shí)，將與凈化間氣流接觸的表面的溫度降至氣流露點(diǎn)以下。除去析出的冷凝水，將除濕后的空氣加熱至規(guī)定溫度后，重新送回凈化間。標(biāo)準(zhǔn)冷凍機(jī)可保證露點(diǎn)達(dá)到+4℃；采用第二種方法時(shí)，氣流通過吸濕劑，吸濕劑直接吸收氣流中的水分，然后將除濕后的空氣送回凈化間。吸濕劑除濕法可使露點(diǎn)低于-18℃。

另外，半導(dǎo)體芯片需在化學(xué)氣相沉積外延反應(yīng)爐中加工，將一層穩(wěn)定的單晶硅膜沉積在芯片上。在加工過程中反應(yīng)爐中的水氣和氧氣會(huì)污染沉積膜而降低

產(chǎn)量。

反應(yīng)爐工作氣壓范圍從高真空度到大氣壓，可在約344kPa壓力下預(yù)凈化處理。該工藝所需的氣體包括：胂化氫、磷化氫、氫、氮和氬等。膜沉積工藝質(zhì)量取決于對(duì)氣體混合及質(zhì)量流量的控制。產(chǎn)量取決于濕度的控制精度。也就是說，濕度及氧的測(cè)量，對(duì)設(shè)計(jì)嚴(yán)格的氣體混合規(guī)范十分重要，整個(gè)工藝過程離不開熱電制冷自動(dòng)檢測(cè)露層的平衡式精密露點(diǎn)儀的監(jiān)測(cè)。

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電容式露點(diǎn)儀TK-100主要運(yùn)用于半導(dǎo)體芯片哪些方面

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