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牛津儀器(上海)有限公司

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更新時(shí)間：2022-11-30 12:45:42瀏覽次數(shù)：538評(píng)價(jià)

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產(chǎn)品分類品牌分類

ICPCVD

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with low substrate damage. 詢價(jià) 增加到詢價(jià)列表在詢價(jià)列表中查看此產(chǎn)品

詳細(xì)介紹

在低溫度下沉積低損傷的薄膜
可沉積的典型材料包括： SiO₂、Si₃N₄ 、 SiON、Si 和 SiC，襯底溫度可低至5ºC
65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源提供了工藝的均勻性
晶圓尺寸高至200mm
電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
已獲得ICPCVD氣體配送技術(shù)
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝，并且可自動(dòng)停止工藝

SiO₂ deposited using TEOS and O₂ by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT

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