BALLUFF傳感器，BALLUFF磁敏傳感器

BALLUFF磁敏傳感器中，霍爾元件及霍爾傳感器的生產(chǎn)量是zui大的。BALLUFF磁敏傳感器主要用于無刷直流電機（霍爾電機）中，這種電機用于磁帶錄音機、錄像機、XY記錄儀、打印機、電唱機及儀器中的通風風扇等。另外，霍爾元件及霍爾傳感器還用于測轉(zhuǎn)速、流量、流速及利用它制成高斯計、電流計、功率計等儀器。
BALLUFF磁敏傳感器是傳感器產(chǎn)品的一個重要組成部分, 隨著我國BALLUFF磁敏傳感器技術(shù)的發(fā)展, 其產(chǎn)品種類和質(zhì)量將會得到進一步發(fā)展和提高, 汽車, 民用儀表等這些量大面廣的應用領(lǐng)域即將實現(xiàn)國產(chǎn)的BALLUFF磁敏傳感器,高斯計等產(chǎn)品日前已經(jīng)開始走入市場,與國外產(chǎn)品的差距正在快速縮小。

BALLUFF傳感器，BALLUFF磁敏傳感器

BALLUFF磁敏傳感器，顧名思義就是感知磁性物體的存在或者磁性強度(在有效范圍內(nèi))這些磁性材料除永磁體外，還包括順磁材料(鐵、鈷、 鎳及其它們的合金)當然也可包括感知通電(直、交)線包或?qū)Ь€周圍的磁場。
一、傳統(tǒng)的磁檢測中首先被采用的是電感線圈為敏感元件。BALLUFF磁敏傳感器特點正是無須在線圈中通電，一般僅對運動中的永磁體或電流載體起敏感作用。后來發(fā)展為用線圈組成振蕩槽路的。 如探雷器，金屬異物探測器，測磁通的磁通計等. (磁通門，振動樣品磁強計)。
二、霍爾傳感器
BALLUFF磁敏傳感器是依據(jù)霍爾效應制成的器件。
BALLUFF磁敏傳感器霍爾效應：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差， 在經(jīng)過特殊工藝制備的半導體材料這種效應更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導 體IIIV 元素族都有所應用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的?；魻柶骷捎谄涔ぷ鳈C理的原因都制成全橋路器件，其內(nèi)阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對BALLUFF磁敏傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。
Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而砷化鎵典型工作電流為2 mA。作為低弱磁場測量，我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越好。（因為電源周圍即有磁場，就不同程度引進誤差。
BALLUFF磁敏傳感器主要有兩大類，一類為開關(guān)型器件，一類為線性霍爾器件，從結(jié)構(gòu)形式（品種）及用量、產(chǎn)量前者大于后者?；魻柶骷捻憫俣却蠹s在1us 量級。
三、BALLUFF磁阻傳感器
BALLUFF磁阻傳感器，磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種BALLUFF磁敏傳感器。采用的半導體材料于霍爾大體 相同。但這種BALLUFF磁敏傳感器對磁場的作用機理不同，BALLUFF磁敏傳感器內(nèi)載流子運動方向與被檢磁場在一平面內(nèi)。（順便提醒一點，霍爾效應于磁阻效應是并存的。在制造霍爾器件時 應努力減少磁阻效應的影響，而制造磁阻器件時努力避免霍爾效應（在計算公式中，互為非線性項）。在磁阻器件應用中，溫度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制備方面，磁阻器件由于與霍爾不同，因此，早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大，現(xiàn)在多制成單臂（兩只磁敏電阻串聯(lián)）主要是為補償溫度漂移。目前也有 全橋產(chǎn)品，但用法（目的）與霍爾器件略有差異。據(jù)報導磁阻器件的響應速度同霍爾1uS量級。
BALLUFF磁敏傳感器由于工作機理不同于霍爾，因而供電也不同，而是采用恒壓源（但也需要一定的電流）供電。當后續(xù)電路不同對供電電源的穩(wěn)定性及內(nèi)部噪聲要求高低有所不同。
四、BALLUFF磁敏器件應用的問題
BALLUFF磁敏傳感器體積問題：
在BALLUFF磁敏傳感器作為檢測磁場而設計和制造的 ，一般檢測的概念是：測量磁場中某一點的磁性。作為點的定義在幾何學中是無限小的。在磁場檢測中，由于磁場的面積、體積、縫隙大小等都是有限面積（尺 寸），因此我們希望磁敏元件之面積與被測磁場面積相比也應該是越小越準確。在磁場成像的技術(shù)中，元件體積越小，在相同的面積內(nèi)采集的像素就愈多。分辨率、 清晰度越高。在表面磁場測量與多級磁體的檢測中，在磁柵尺中，必然有如此要求。從磁敏元件工作機理看，為提高靈敏度在幾何形狀處于磁場中的幾何尺寸都有相 應要求，這與“點”的要求是相矛盾的。