科瑞傳感器LLK-5050-000升級型號PL-Q50-E0

美國科瑞傳感器常備現(xiàn)貨，美國原裝LLK-5050-000升級型號PL-Q50-E0，其他的都不變，大量現(xiàn)貨歡迎大家前來選購。
LLK-5050-003升級型號PL-Q50-A3 

新型單片微波集成電路基于科瑞公司的氮化鎵高電子遷移率晶體管，采用0.25微米柵長制造工藝構建在碳化硅襯底上。該公司表示，碳化硅上氮化鎵相對于硅、砷化鎵以及硅上氮化鎵等，在擊穿電壓、電子飽和遷移速度以及熱傳導性等方面具有優(yōu)異特性。氮化鎵高電子遷移率晶體管也能提供比硅、砷化鎵和硅上氮化鎵更大的功率密度和更大的帶寬。

美國科瑞Cree 成立于1987年7月LED制造商。
Cree正著 LED 照明革命，并通過使用節(jié)能環(huán)保的 LED 照明淘汰浪費能源的傳統(tǒng)照明技術。Cree 在照明級 LED、LED 照明，以及無線與電源應用半導體解決方案領域，是市場的革新者。
美國科瑞Cree 產(chǎn)品系列包括 LED 燈具和燈泡、藍色和綠色 LED 芯片、高輝度 LED、照明級功率 LED、功率切換器件和射頻/無線器件。Cree 解決方案可以推進以下應用的改進：常規(guī)照明、背光、電子標志和信號、變速電機和無線通信。

美國科瑞推出新款氮化鎵功率放大器芯片集成電路
美國科瑞公司日前推出一種工作頻率范圍為6～12GHz的25瓦氮化鎵單片微波集成電路。
利用氮化鎵技術的固有特性，新型單片微波集成電路具有極寬的帶寬和瞬態(tài)寬帶性能，可用于替代行波管放大器，適用于雷達、阻塞器、測試設備以及寬帶放大器等應用領域。

新型氮化鎵單片微波集成電路功率放大器可用做管芯或采用更好散熱的10腳陶瓷法蘭封裝。兩者都能在6～12GHz提供30%的附加功率效率，以等幅波形式提供35瓦的輸出功率，可以罕見地將工作電壓提升至28伏，而尺寸僅為0.44厘米×0.61厘米×0.01厘米。管芯形式的小信號增益為32dB，典型飽和輸出功率為30瓦，封裝形式的小信號增益為33dB，典型飽和輸出功率為35瓦。

S12-4FUW-050-12MG（5米長）  
S12-4FUW-070-12MG（7米長）  
DW-AS-623-M5
DW-AS-603-C8-001
LHK-3031-303 
S50-PA-5-F01-PP 
S50-PA-5-GOO-XG 
S12-5FVG-020 
S08-3FUW-050-08MG 
DW-AS-713-M18-002 
YBB14S4-0400-G012 
DW-AD-503-M12-120 
N-130/2替代產(chǎn)品：N-132/2-01 
1.N-131/2-01替代N-132/2-01  
DW-AD-601-M30  
DW-AS-703-M8-001,
DW-AD-509-M12-120 
DW-AS-631-M8-001 
DW-AS-621-M8-001 
DW-AD-611-M12
DW-AD-623-M8 
DW-AD-623-M8 
DW-AV-623-C5-276   
DW-AS-623-M5 
DW-AD-424-M8 
DW-AD-501-M8       
DW-AD-617-M12  
LTK-5050-102  
DW-AD-617-M30 10只 
DW-DS-625-M18-120 
LLK-1121L-200 
LLK-1121L-204 
美國科瑞對射式傳感器*
DW-AS-509-M30-390  
DW-AS-703-M18-002    
YBB-14S4-0250-G012   
YBB-14S4-0500-G012
美國科瑞對射式傳感器
LRK-4040-104 10只 
KAS-80-A13-A-Y5 
S12-4FVW-050 
DW-AD-701-M12 
DW-AD-618-M18 
KAS-80-30-A-K-M32-PTFE 
KAS-80-250-0-BB
KS-250-M18-30 
LTS-1120-303 
LGS-0020-005-502 
LRK-3030-101 10只 
LHT-6080-103 
DW-AS-624-M5 
DW-AD-403-04-290 
KAS-80-A24-A-J-Y3-NL,
LFS-1001-020，
LFS-3060-103，
S3Z-PR-2-C01-PL，
ATE-0000-002
DW-AS-623-065-121,
DW-AD-303-03，
DW-AD-502-M12-120  
DW-AV-623-03-276 ，
LFS-3020-050  
LFG-3020-050，！
KAS-80-35-A-M32-STEX-N,
KAS-80-A24-A-K-M,
DF-AD-611-C2525，
DW-AD-502-M18-120
DW-AD-502-M30 
DW-AD-513-M12-120 
LGS-0030-005-502  
S08-3FUW-020 
LGS-0030-005-502 
LGS-0020-005-502 
LFK-3365-101
KAS-80-A24-A-PTFE/MS-Y3-NL 
DW-AS-623-M12  
LFK-3060-103 
DW-AD-613-M8-245 
LFP-2002-020 
S50-PA-2-C01-PP
LLK-4050-000 
LLK-4050-003 
MIC+25/E/TC 
KAS-40-A13-N-K,
KAS-40-A14-N-K,
KAS-40-A14-N-K-Y3，
KAS-70-A13-S-K-HC-NL 
KAS-70-A14-S-K-HC-NL,
DW-AD-621-M8-177
KAS-2000-35-M32 10只 
DW-AD-621-M12-294  
DW-AD-503-065 
DW-AD-509-M12-320 
DW-DS-605-M18-120 
DW-AD-611-M8-001，
DW-AD-611-M12-245
DW-AS-509-M18-120 
S3Z-PR-5-C11-PL 
DW-HD-613-M30-411
IAS-20-A12-S-STEX 
YBB-30S4-0900-D020  
YBB-30R4-0900-D020 
LLK-5050-000 
LLK-5050-003 
PICO+25/I 
KAS-70-35-S-M32 

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美國科瑞推出新款氮化鎵功率放大器芯片集成電路
美國科瑞公司日前推出一種工作頻率范圍為6～12GHz的25瓦氮化鎵單片微波集成電路。
利用氮化鎵技術的固有特性，新型單片微波集成電路具有極寬的帶寬和瞬態(tài)寬帶性能，可用于替代行波管放大器，適用于雷達、阻塞器、測試設備以及寬帶放大器等應用領域。

新型單片微波集成電路基于科瑞公司的氮化鎵高電子遷移率晶體管，采用0.25微米柵長制造工藝構建在碳化硅襯底上。該公司表示，碳化硅上氮化鎵相對于硅、砷化鎵以及硅上氮化鎵等，在擊穿電壓、電子飽和遷移速度以及熱傳導性等方面具有優(yōu)異特性。氮化鎵高電子遷移率晶體管也能提供比硅、砷化鎵和硅上氮化鎵更大的功率密度和更大的帶寬。

新型氮化鎵單片微波集成電路功率放大器可用做管芯或采用更好散熱的10腳陶瓷法蘭封裝。兩者都能在6～12GHz提供30%的附加功率效率，以等幅波形式提供35瓦的輸出功率，可以罕見地將工作電壓提升至28伏，而尺寸僅為0.44厘米×0.61厘米×0.01厘米。管芯形式的小信號增益為32dB，典型飽和輸出功率為30瓦，封裝形式的小信號增益為33dB，典型飽和輸出功率為35瓦。