導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感,在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用的這些性質(zhì),才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。
是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),它的發(fā)展對半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu),大致可分為以下幾類。
1.元素半導(dǎo)體
有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代,鍺在半導(dǎo)體中占主導(dǎo)地位,但 鍺半導(dǎo)體器件的耐高溫和抗輻射性能較差,到60年代后期逐漸被硅材料取代。用硅制造的半導(dǎo)體器件,耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件。因此,硅已成為應(yīng)用zui多的一種增導(dǎo)體材料,目前的集成電路大多數(shù)是用硅材料制造的。
2.化合物半導(dǎo)體
由兩種或兩種以上的元素化合而成的。它的種類很多,重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中砷化鎵是制造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由于其抗輻射能力強、耐高溫和化學(xué)穩(wěn)定性好,在航天技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
3.無定形
用作半導(dǎo)體的玻璃是一種非晶體無定形,分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開關(guān)和記憶特性和很強的抗輻射能力,主要用來制造閾值開關(guān)、記憶開關(guān)和固體顯示器件。
4.有機增導(dǎo)體材料
已知的有機有幾十種,包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,目前尚未得到應(yīng)用
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。