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M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀|上海如慶電子科技有限公司專業(yè)提供
M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀
M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀。的TFM技術(shù)是M2M研發(fā)的其中一項(xiàng)核心技術(shù)，它采用全矩陣捕捉法（FMC）對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，在采用TFM算法實(shí)時(shí)對(duì)區(qū)域進(jìn)行成像，使得超聲檢測(cè)在缺陷定量及定性上更加準(zhǔn)確。
GEKKO可采用8×8面陣探頭聚焦。而常規(guī)相控陣探傷儀常采用線陣探頭，通過CIVA聲場(chǎng)仿真我們可以觀察到：線陣探頭的聲場(chǎng)分布不均，偏轉(zhuǎn)效果不如面陣探頭聲場(chǎng)；且線陣探頭副瓣比面陣探頭聲場(chǎng)更大，易出現(xiàn)雜波影響檢測(cè)效果。
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 | - 探頭匹配 支持線性及二維面陣探頭 | |
| - 聚焦法則 1600個(gè)相控陣法則 | ||
| - 掃查組 多支持8個(gè)不同掃查組混合檢測(cè) | ||
| - 操作流程 預(yù)置應(yīng)用模塊，參數(shù)配置向?qū)?，?shù)據(jù)分析，報(bào)告生成 | ||
 | - 實(shí)時(shí)成像 A-掃，B-掃，C-掃，S-掃 | |
| - 實(shí)時(shí)全聚焦成像（TFM） 三維空間實(shí)時(shí)成像 | ||
| - 檢測(cè)方法 脈沖回波，TOFD，收發(fā)分離，深度動(dòng)態(tài)聚焦，基于CIVA的聚焦法則運(yùn)算核心 | ||
M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀|上海如慶電子科技有限公司專業(yè)提供
M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀
實(shí)時(shí)全聚焦成像技術(shù)TFM | |
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| TFM成像與傳統(tǒng)相控陣扇掃成像的對(duì)比 | |
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常規(guī)相控陣扇掃成像，無法檢測(cè)缺陷尺寸，無法檢出0.2橫孔，TFM成像可以清晰識(shí)別傾斜面前部0.2毫米小孔
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| 實(shí)時(shí)全聚焦成像技術(shù)TFM是M2M研發(fā)的其中一項(xiàng)核心技術(shù)。它采用全矩陣捕捉法（FMC）對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，在采用TFM算法實(shí)時(shí)對(duì)區(qū)域進(jìn)行成像，使得超聲檢測(cè)在缺陷定量及定性上更加準(zhǔn)確 | |
64晶片同時(shí)激發(fā)在聲場(chǎng)方面的優(yōu)勢(shì) | |
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| 同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的聲場(chǎng) | 同時(shí)激發(fā)64個(gè)晶片的聲場(chǎng) |
16個(gè)晶片遠(yuǎn)場(chǎng)效果，且能量低，焦點(diǎn)尺寸大分辨率低 M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀|上海如慶電子科技有限公司專業(yè)提供 M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀 | |
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| 同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的聲場(chǎng) | 同時(shí)激發(fā)64個(gè)晶片的聲場(chǎng) |
| 通過CIVA聲場(chǎng)仿真我們可以觀察到16晶片的聲場(chǎng)分布不均，偏轉(zhuǎn)效果不如64晶片聲場(chǎng)，且16晶片副瓣比64晶片聲場(chǎng)更大，出現(xiàn)雜波影響檢測(cè)效果。 | |
控制二維面陣探頭的優(yōu)勢(shì) | |
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| 64晶片同時(shí)激發(fā)模式還可以控制一個(gè)面陣探頭（8×8），能同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的設(shè)備無法有效控制面陣探頭，使用此類探頭能夠?qū)θS空間進(jìn)行任意方向掃查，可以在同一探頭位置檢測(cè)到不同取向的缺陷。 | |
M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀。的TFM技術(shù)是M2M研發(fā)的其中一項(xiàng)核心技術(shù)，它采用全矩陣捕捉法（FMC）對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，在采用TFM算法實(shí)時(shí)對(duì)區(qū)域進(jìn)行成像，使得超聲檢測(cè)在缺陷定量及定性上更加準(zhǔn)確。
GEKKO可采用8×8面陣探頭聚焦。而常規(guī)相控陣探傷儀常采用線陣探頭，通過CIVA聲場(chǎng)仿真我們可以觀察到：線陣探頭的聲場(chǎng)分布不均，偏轉(zhuǎn)效果不如面陣探頭聲場(chǎng)；且線陣探頭副瓣比面陣探頭聲場(chǎng)更大，易出現(xiàn)雜波影響檢測(cè)效果。
M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀|上海如慶電子科技有限公司專業(yè)提供
M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀
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| - 探頭匹配 支持線性及二維面陣探頭 | |
| - 聚焦法則 1600個(gè)相控陣法則 | ||
| - 掃查組 多支持8個(gè)不同掃查組混合檢測(cè) | ||
| - 操作流程 預(yù)置應(yīng)用模塊，參數(shù)配置向?qū)?，?shù)據(jù)分析，報(bào)告生成 | ||
| - 實(shí)時(shí)成像 A-掃，B-掃，C-掃，S-掃 | |
| - 實(shí)時(shí)全聚焦成像（TFM） 三維空間實(shí)時(shí)成像 | ||
| - 檢測(cè)方法 脈沖回波，TOFD，收發(fā)分離，深度動(dòng)態(tài)聚焦，基于CIVA的聚焦法則運(yùn)算核心 | ||
實(shí)時(shí)全聚焦成像技術(shù)TFM | |
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| TFM成像與傳統(tǒng)相控陣扇掃成像的對(duì)比 | |
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常規(guī)相控陣扇掃成像，無法檢測(cè)缺陷尺寸，無法檢出0.2橫孔，TFM成像可以清晰識(shí)別傾斜面前部0.2毫米小孔 M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀|上海如慶電子科技有限公司專業(yè)提供 M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀 | |
| 實(shí)時(shí)全聚焦成像技術(shù)TFM是M2M研發(fā)的其中一項(xiàng)核心技術(shù)。它采用全矩陣捕捉法（FMC）對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，在采用TFM算法實(shí)時(shí)對(duì)區(qū)域進(jìn)行成像，使得超聲檢測(cè)在缺陷定量及定性上更加準(zhǔn)確 | |
64晶片同時(shí)激發(fā)在聲場(chǎng)方面的優(yōu)勢(shì) | |
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| 同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的聲場(chǎng) | 同時(shí)激發(fā)64個(gè)晶片的聲場(chǎng) |
16個(gè)晶片遠(yuǎn)場(chǎng)效果，且能量低，焦點(diǎn)尺寸大分辨率低
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| 同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的聲場(chǎng) | 同時(shí)激發(fā)64個(gè)晶片的聲場(chǎng) |
| 通過CIVA聲場(chǎng)仿真我們可以觀察到16晶片的聲場(chǎng)分布不均，偏轉(zhuǎn)效果不如64晶片聲場(chǎng)，且16晶片副瓣比64晶片聲場(chǎng)更大，出現(xiàn)雜波影響檢測(cè)效果。 | |
控制二維面陣探頭的優(yōu)勢(shì) | |
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64晶片同時(shí)激發(fā)模式還可以控制一個(gè)面陣探頭（8×8），能同時(shí)激發(fā)16個(gè)晶片的設(shè)備無法有效控制面陣探頭，使用此類探頭能夠?qū)θS空間進(jìn)行任意方向掃查，可以在同一探頭位置檢測(cè)到不同取向的缺陷。 M2M-GEKKO實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀|上海如慶電子科技有限公司專業(yè)提供 M2M-GEKKO 實(shí)時(shí)全聚焦相控陣探傷儀 | |
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