在性能上的增長，純硅功率晶體管有著令人羨慕的成績，然而，對于高要求的功率開關(guān)和控制的應(yīng)用上，它似乎已經(jīng)到達了它的極限。 

碳化硅（SiC），作為一種新型半導(dǎo)體材料，具有潛在的優(yōu)點：更小的體積、更有效率、*去除開關(guān)損耗、低漏極電流、比標準半導(dǎo)體（純硅半導(dǎo)體）更高的開關(guān)頻率以及在標準的125℃結(jié)溫以上工作的能力。小型化和高工作耐溫使得這些器件的使用更加自如，甚至可以將這些器件直接置于電機的外殼內(nèi)。 

任何一種新技術(shù)都會經(jīng)歷由發(fā)展到成熟的過程，SiC也不例外。標準功率開關(guān)，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），有很大的產(chǎn)品基礎(chǔ)和優(yōu)化的生產(chǎn)技術(shù)。而SiC卻需要投入大量經(jīng)費和研發(fā)資金來解決材料問題和完善半導(dǎo)體制造技術(shù)。然而這種功率開關(guān)器件，能夠在正向?qū)ù箅娏骱头聪蚪刂骨Х妷褐g快速執(zhí)行開關(guān)動作，這樣的性能是值得一試的。 

SiC初的成功應(yīng)用和主要應(yīng)用發(fā)光二極管，用于汽車頭燈和儀表盤其他照明場合。其他的市場包括開關(guān)電源和肖特基勢壘二極管。將來會應(yīng)用到包括混合動力車輛、功率轉(zhuǎn)換器（用于減小有源前置濾波器的體積）和交流/直流電機控制上。這些更高要求的應(yīng)用還沒有商業(yè)化，因為它們需要高質(zhì)量的材料和大規(guī)模的生產(chǎn)力來降低成本。在*范圍內(nèi)，大量的研究經(jīng)費投入到了公司、實驗室和政府設(shè)施，以使SiC技術(shù)更加可行。一些專家預(yù)言，SiC技術(shù)的商業(yè)化、工業(yè)化甚至軍工應(yīng)用將在2到5年或者更遠的時間內(nèi)變成現(xiàn)實。