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測(cè)試原理
Vx與Vr均是矢量電壓表，Rr是理想電阻。自平衡電橋的意思是:當(dāng)DUT(Device Under Test)接入電路時(shí)，放大器的負(fù)反饋配置自動(dòng)使得OP輸入端虛地。Vx準(zhǔn)確測(cè)定DUT兩端電壓(DUT的Low電位是0)，Vr與Rr測(cè)得DUT電流Ix，由此可計(jì)算Zx。
HP4275的測(cè)試端Hp,Hc,Lp,Lc(下標(biāo)c代表current, 下標(biāo)p代表Potentail)，Guard(接地)的配置可導(dǎo)致測(cè)試的誤差的差異。
提高精度的方法是: 1,Hp,Lp,Hc,Lc盡量接近DUT; 2,減小測(cè)試電流Ix的回路面積&磁通量(關(guān)鍵是分析Ix，要配合使用Guard與Cable小化回路面積);3,使用Gurard與Cable構(gòu)建地平面中斷信號(hào)線間的電場(chǎng)連接，雖然會(huì)增加信號(hào)線的對(duì)地電容(對(duì)地電容不影響測(cè)試結(jié)果)，但是會(huì)減少信號(hào)線的互容。
Guard與Cable的對(duì)地寄生阻抗(Zhg,Zlg) 不影響測(cè)試結(jié)果，電橋平衡時(shí)Zlg的兩端電壓是0，流向Rr的電流不會(huì)被Zlg分流，Zhg的分流作用不影響Hp的電壓測(cè)量。
測(cè)量步驟
LCR測(cè)試儀一般用于測(cè)試電感和電容。測(cè)量步驟如下:
設(shè)置測(cè)試頻率
測(cè)試電壓或者電流水平
選擇測(cè)試參數(shù)，比如Z、Q、LS(串聯(lián)電感)、LP(并聯(lián)電感)、CS(串聯(lián)電容)、CP(并聯(lián)電容)、D等
儀器校準(zhǔn)，校準(zhǔn)主要進(jìn)行開路、短路校準(zhǔn)，高檔的儀器要進(jìn)行負(fù)載校準(zhǔn)
選擇測(cè)試夾具
夾具補(bǔ)償
將DUT放在夾具上開始測(cè)試
Vx與Vr均是矢量電壓表，Rr是理想電阻。自平衡電橋的意思是:當(dāng)DUT(Device Under Test)接入電路時(shí)，放大器的負(fù)反饋配置自動(dòng)使得OP輸入端虛地。Vx準(zhǔn)確測(cè)定DUT兩端電壓(DUT的Low電位是0)，Vr與Rr測(cè)得DUT電流Ix，由此可計(jì)算Zx。
HP4275的測(cè)試端Hp,Hc,Lp,Lc(下標(biāo)c代表current, 下標(biāo)p代表Potentail)，Guard(接地)的配置可導(dǎo)致測(cè)試的誤差的差異。
提高精度的方法是: 1,Hp,Lp,Hc,Lc盡量接近DUT; 2,減小測(cè)試電流Ix的回路面積&磁通量(關(guān)鍵是分析Ix，要配合使用Guard與Cable小化回路面積);3,使用Gurard與Cable構(gòu)建地平面中斷信號(hào)線間的電場(chǎng)連接，雖然會(huì)增加信號(hào)線的對(duì)地電容(對(duì)地電容不影響測(cè)試結(jié)果)，但是會(huì)減少信號(hào)線的互容。
Guard與Cable的對(duì)地寄生阻抗(Zhg,Zlg) 不影響測(cè)試結(jié)果，電橋平衡時(shí)Zlg的兩端電壓是0，流向Rr的電流不會(huì)被Zlg分流，Zhg的分流作用不影響Hp的電壓測(cè)量。
測(cè)量步驟
LCR測(cè)試儀一般用于測(cè)試電感和電容。測(cè)量步驟如下:
設(shè)置測(cè)試頻率
測(cè)試電壓或者電流水平
選擇測(cè)試參數(shù)，比如Z、Q、LS(串聯(lián)電感)、LP(并聯(lián)電感)、CS(串聯(lián)電容)、CP(并聯(lián)電容)、D等
儀器校準(zhǔn)，校準(zhǔn)主要進(jìn)行開路、短路校準(zhǔn)，高檔的儀器要進(jìn)行負(fù)載校準(zhǔn)
選擇測(cè)試夾具
夾具補(bǔ)償
將DUT放在夾具上開始測(cè)試
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