導(dǎo)語(yǔ)：

     本文是以前做過(guò)的一個(gè)試驗(yàn)，現(xiàn)場(chǎng)有一 處容器需要測(cè)定腐蝕情況，測(cè)腐蝕我們傳統(tǒng)的方式是采用測(cè)厚儀，在現(xiàn)場(chǎng)工件上畫格子線進(jìn)行單點(diǎn)測(cè)厚，本次業(yè)主要求測(cè)厚需要采用可記錄的方式，何為可記錄方式？理解可記錄至少檢測(cè)結(jié)果可存儲(chǔ)、檢測(cè)位置可追溯。小編想采用相控陣檢測(cè)會(huì)是什么效果，于是采用相控陣進(jìn)行試驗(yàn)，下面是試驗(yàn)結(jié)果。

一、試驗(yàn)準(zhǔn)備：

1、檢測(cè)系統(tǒng)

設(shè)備：OLYMPUS OmniScan MX2；

探頭：5L16-A10;

楔塊：0L-A10;

編碼器：mini編碼器

2、采用試塊

階梯平底孔試塊（φ8mm平底孔），結(jié)構(gòu)形式見(jiàn)圖1：

圖1.階梯試塊結(jié)構(gòu)形式

二、試驗(yàn)過(guò)程及檢測(cè)結(jié)果

 1、首先對(duì)設(shè)備探頭進(jìn)行及楔塊進(jìn)行選擇（相控陣設(shè)備內(nèi)置一些探頭及楔塊的參數(shù)，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的型號(hào)選擇，確保定位、定量的準(zhǔn)確性。如設(shè)備中無(wú)內(nèi)置信息需要自定義進(jìn)行設(shè)置）。

      2、本文未對(duì)TCG（時(shí)間增益修正）進(jìn)行校準(zhǔn)，只是針對(duì)不同的聚焦法則下進(jìn)行比對(duì)檢測(cè)。

      3、聚焦法則的設(shè)置：采用0度線掃描，激發(fā)孔徑為4晶片，激發(fā)起始晶片為1，終止晶片為16，連接mini掃查器，檢測(cè)由厚至薄，探頭聲束通過(guò)底片平底孔，檢測(cè)效果見(jiàn)圖2.

圖2.激發(fā)四晶片線掃描檢測(cè)結(jié)果

3、聚焦法則的設(shè)置：

采用0度線掃描，激發(fā)孔徑為4晶片，激發(fā)起始晶片為1，終止晶片為16，連接mini掃查器，檢測(cè)由厚至薄，探頭聲束通過(guò)底片平底孔，檢測(cè)效果見(jiàn)圖3.

圖3.激發(fā)八晶片線掃描檢測(cè)結(jié)果

4、結(jié)論：

采用OmniScan MX2檢測(cè)腐蝕，線掃描可用，B掃描檢測(cè)結(jié)果直觀（板厚變化明顯，平底孔顯示清晰）定量準(zhǔn)確，C掃描檢測(cè)結(jié)果直觀易見(jiàn)，無(wú)法對(duì)面積定量，索引軸為未校正標(biāo)尺，無(wú)法對(duì)面積進(jìn)行定量。可采用TOMview，進(jìn)行體積融合。