可控硅測試儀（又名：系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀）是新研究設(shè)計成功的一種的數(shù)字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數(shù)測試裝置。
1.它可以測量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的種電流等的塑封單、雙向可控硅（晶閘管）。
2.設(shè)計了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程，可以直接測量MCR100-6等微安觸發(fā)電流的可控硅。
3.可以測量DIP-6.DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器。
4.可以測量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。
5.測試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時人工調(diào)節(jié)，可控硅插入測試座后儀器會自動的調(diào)節(jié)至觸發(fā)值，并穩(wěn)定的顯示觸發(fā)電流IGT/觸發(fā)電壓VGT。
6.測試可控硅耐壓參數(shù)時只需性調(diào)節(jié)好zui高輸出電壓值，以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即可顯示該可控硅的耐壓值。
該儀器主于可控硅使用廠家對可控硅元件的檢驗、參數(shù)的配對、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器還可以的應(yīng)用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、使用方便。
性能
可控硅觸發(fā)電流IGT測量范圍:6-1000uA,0-10.00mA,0-100.0mA 精度:≤3%
可控硅觸發(fā)電壓VGT測量范圍:0-5V精度:≤5%
可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測量范圍:0-10.00mA, 0-100.0mA 精度:≤3%
可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測量范圍:0-3V 精度:≤5%
可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍:0-2KV精度:≤3%
可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍:0-1.6KV精度:≤5%
測試功能
1.系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測試，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM的測試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM的測試。
2.DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器輸入LED端IFT/VFT的測試，輸出端可控硅正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM的測試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM的測試。
3.電流在200A以內(nèi)，VDSM/VRSM在2KV以內(nèi)，觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測試，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM的測試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM的測試。
4.2KV以內(nèi)的類二管、三管、達林頓管、整流橋、MOS場效應(yīng)管、IGBT及種模塊的耐壓測試。
5.2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二管等電壓值的測試