手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號(hào)：chem17
掃碼關(guān)注視頻號(hào)
外延層必須是經(jīng)過摻雜的單晶層。從器件制造的角度考慮，總希望外延層具有均勻的一定量的單一雜質(zhì)分布，而且要求外延層與襯底界面處雜質(zhì)分布濃度陡峭一些。
SiCl4氫還原法外延由于在高達(dá)1200℃高溫下進(jìn)行，襯底與外延層中雜質(zhì)相互擴(kuò)散，從而使襯底與外延層形成雜質(zhì)濃度緩變分布，這就是外延中的擴(kuò)散效應(yīng)。這種效應(yīng)是可逆的，生成的HCl對(duì)硅有腐蝕作用。在襯底腐蝕的同時(shí)其中雜質(zhì)就釋放出來，加之在高溫外延過程中，高摻雜襯底中的雜質(zhì)也會(huì)揮發(fā)，此外整個(gè)外延層系統(tǒng)中也存在雜質(zhì)的沾污源，這三種因素造成的自摻雜效應(yīng)嚴(yán)重影響了外延的雜質(zhì)分布，外延電阻率做高也不容易。
SiH4熱分解法反應(yīng)溫度低，其化學(xué)反應(yīng)激活能是1.6eV，比SiCl4小0.3eV，可以在1100℃時(shí)獲得與1200℃下SiCl4反應(yīng)時(shí)相當(dāng)?shù)纳L(zhǎng)速率，同時(shí)這種方法不產(chǎn)生HCl，無反應(yīng)腐蝕問題，因而擴(kuò)散效應(yīng)和自摻雜現(xiàn)象不如SiCl4嚴(yán)重。如果采用“背封”技術(shù)和“二步法”外延，用SiH4熱分解法就能獲得較為理想的突變結(jié)和濃度分布。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購(gòu)中心