介質(zhì)損耗試驗的目的

  介質(zhì)損耗試驗的目的是通過測量介質(zhì)損耗因數(shù)來判斷設(shè)備絕緣性能。一般使用西林電橋、電流比較型電橋、M型介質(zhì)試驗器等儀器進行試驗。

測量介質(zhì)損耗因數(shù)在預(yù)防性試驗中是*的項目。因為電氣設(shè)備介質(zhì)損耗因數(shù)太大，會使設(shè)備絕緣在交流電壓作用下，許多能量以熱的形式損耗，產(chǎn)生的熱量將升高電氣設(shè)備絕緣的溫度，使絕緣老化，甚至造成絕緣熱擊穿。

絕緣能力的下降直接反映為介質(zhì)損耗因數(shù)的增大。進一步就可以分析絕緣下降的原因，如：絕緣受潮、絕緣油受污染、老化變質(zhì)等等。

所以，在出廠試驗時要進行介質(zhì)損耗的試驗，運行中的電氣設(shè)備亦要進行此種試驗。測量介質(zhì)損耗的同時，也能得到試品的電容量。電容量的明顯變化，反映了多個電容中的一個或幾個發(fā)生短路、斷路。

擴展資料

在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量電介質(zhì)的損耗。

當電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。

tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路（Cx）。

標準回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標準電容器與測量線路組成，被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。

通過測量電路分別測得標準回路電流與被試回路電流幅值及其相位等，再由單片機運用數(shù)字化實時采集方法，通過矢量運算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。