弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設(shè)備
用于先進的各種復(fù)雜材料的研究
[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]
硅|化合物半導(dǎo)體|氧化物|寬帶隙材料|鈣鈦礦|外延

弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設(shè)備

產(chǎn)品性能
先進材料的研究和開發(fā)
靈敏度: 對外延層監(jiān)控和不可見缺陷檢測，
具有可視化測試的分辨率
測試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
壽命測試范圍: 20ns到幾ms
玷污測試: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬沾污（Fe）
測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發(fā)光與測試模塊進行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型臺式檢測設(shè)備，使用時間 > 99%
重復(fù)性: > 99.5%
電阻率: 無需時常校準(zhǔn)的電阻率面掃描

 先進材料的研究和開發(fā)

應(yīng)用案例

+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測試
+ 硼氧濃度測試

+ 受注入濃影響的測試

常規(guī)壽命測試

 + 無接觸且非破壞的少子壽命成像測試：
(μPCD/MDP(QSS),光電導(dǎo)率，電阻率和p/n型檢測符合半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SEMI PV9-1110
+ 多可集成4個不同波長光源，具有大范圍可調(diào)的光注入水平，可對單點進行少子壽命的瞬態(tài)測試，

 + 可對單點進行少子壽命的瞬態(tài)測試，也可對晶圓片進行面掃

MDPStudio
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› 單點測試，例如受注入影響的測試
› 原始數(shù)據(jù)獲取
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› 菜單選項
› 分析功能包
› 線掃描和單點瞬可視化測試