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如何選擇集成電路芯片高低溫試驗(yàn)箱

來(lái)源:東莞市皓天試驗(yàn)設(shè)備有限公司   2020年09月23日 15:38  

    集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件。目前芯片市場(chǎng)需求更大,那么做集成電路芯片生產(chǎn)廠家,同時(shí)大量需求到皓天環(huán)境測(cè)試設(shè)備:高低溫試驗(yàn)箱,可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱,冷熱沖擊試驗(yàn)箱,快速溫變?cè)囼?yàn)箱..........

如何選擇集成電路芯片高低溫試驗(yàn)箱

1、芯片廠家需求多大內(nèi)容積高低溫試驗(yàn)箱;

2、設(shè)備溫度范圍

3、濕度范圍

4、集成器負(fù)載數(shù)量

高低溫試驗(yàn)箱專(zhuān)業(yè)廠家根據(jù)客戶(hù)要求推薦如下

1.產(chǎn)品名稱(chēng)

高低溫試驗(yàn)箱

2.產(chǎn)品型號(hào)

SMC-40PF

3.試樣限制

本試驗(yàn)設(shè)備禁止:

①易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

②腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

③生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

④強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

4.容積、尺寸和重量

4.1.標(biāo)稱(chēng)內(nèi)容積

40L

4.2.內(nèi)型尺寸

W345*H395*D300mm

4.3.外型尺寸

W580*H850*D1150mm

4.4.重量

約180㎏

5.性能

 

5.1.測(cè)試環(huán)境條件

5.2.測(cè)試方法

環(huán)境溫度為+25℃、相對(duì)濕度≤85%、試驗(yàn)箱內(nèi)無(wú)試樣條件下

GB/T 5170.2-1996 溫度試驗(yàn)設(shè)備。

5.3.溫度范圍

-40℃→+150℃(可任意設(shè)定)

5.4.濕度范圍

20%RH→98%RH (可任意設(shè)定)

5.5.溫度波動(dòng)度

±0.5℃

5.6.濕度波動(dòng)度

±1%

5.7.溫度偏差

±1.0℃

5.8.濕度偏差

±3%RH

5.9.升溫時(shí)間

升溫時(shí)間:+20℃~+150℃35min(非線性空載,升溫速率3~5℃)

5.10.降溫時(shí)間

降溫時(shí)間:+20℃~-40℃55min(非線性空載,降溫速率1~1.2)

5.11.負(fù)載情況

空載

5.12.滿(mǎn)足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

①GB/T 2423.1-2006 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法

②GB/T 2423.2-2006 試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法

③GJB 150.3-1986   高溫試驗(yàn)

④GJB 150.4-1986   低溫試驗(yàn)

⑤IEC68-2-1 試驗(yàn)A:寒冷.

⑥GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》

⑦GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法》.

⑧GB/T10586-89  濕熱試驗(yàn)箱條件

⑨GT/T2423.3-93、GT/T2423.4-93  濕熱試驗(yàn)箱條件

 

  

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