1.本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt參數(shù)的測(cè)試設(shè)備。適用于交流固態(tài)繼電器、晶閘管、雙向可控硅以及可控硅型光電耦合器的dv/dt參數(shù)測(cè)試。

2.本測(cè)試儀采用單片機(jī)控制，能夠?qū)y(cè)試條件及測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算；從而使得測(cè)試結(jié)果能夠直接讀出，免去了繁瑣的查表和運(yùn)算。

3.單片機(jī)的數(shù)據(jù)處理和優(yōu)化功能，降低了電路分布參數(shù)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，使得測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確。

4.由于該儀器的時(shí)間常數(shù)調(diào)整范圍大、檔位密集，對(duì)測(cè)試電壓、時(shí)間常數(shù)和測(cè)量結(jié)果進(jìn)行數(shù)字顯示，從而使得儀器的測(cè)量精度高、操作加簡(jiǎn)便和快捷。

5.其檢測(cè)原理采用JB/T7626-1994標(biāo)準(zhǔn)推薦的方法。是固態(tài)繼電器、電力半導(dǎo)體晶閘管生產(chǎn)廠家和使用單位常用的檢測(cè)設(shè)備。

參數(shù)：

測(cè)試輸出電壓：2kV±5%

電壓測(cè)量誤差：±（讀數(shù)×2%+1）V

時(shí)間常數(shù)調(diào)整范圍：0.25-8μS

斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt測(cè)量范圍：0-4000V/μS

工作電源：AC 220V±10% 50Hz

工作溫度：0-40℃

整機(jī)功耗：小于150VA

整機(jī)尺寸：370×390×170mm

整機(jī)重量：11Kg