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實(shí)驗室用快速退火爐可提供準(zhǔn)確和可重復(fù)的熱控制

來源:北京朗銘潤德光電科技有限公司   2021年03月09日 18:34  
  實(shí)驗室用快速退火爐基于SolarisGUI的PID處理控制器,可以存儲程序,每個程序多可以支持100個設(shè)置步驟,并帶有USB2.0接口。包含與MicrosoftWindows操作系統(tǒng)兼容的SolarisGUI軟件。使用此軟件,可以通過鏈接到計算機(jī)輕松地實(shí)現(xiàn)程序編輯和數(shù)據(jù)記錄。
  實(shí)驗室用快速退火爐可以滿足大學(xué),研究實(shí)驗室和小規(guī)模生產(chǎn)的需求,它是高度可靠且具有成本效益的。處理腔室采用殼狀設(shè)計,可以*進(jìn)入底板,便于基板的裝卸,并可以對腔體進(jìn)行實(shí)際清潔??焖俚臄?shù)字PID溫度控制器可在整個溫度范圍內(nèi)提供準(zhǔn)確且可重復(fù)的熱控制。
 

實(shí)驗室用快速退火爐

  1、處理室:使用不銹鋼冷室壁技術(shù)。
  2、溫度范圍的標(biāo)準(zhǔn)配置:高1250°C。
  3、高溫配置:高1450°C。
  4、溫度控制標(biāo)準(zhǔn)配置:使用熱電偶和高溫計測量溫度。
  5、真空和氣體:使用MFC多可處理5種處理氣體和一種清潔氣體。
  6、計算機(jī)控制:*PC計算機(jī)控制,每個公式100步,完整的數(shù)據(jù)記錄和處理歷史人機(jī)界面設(shè)計。
  實(shí)驗室用快速退火爐快速熱處理技術(shù)(RTP)可用于硅和化合物半導(dǎo)體材料的離子注入,消除/激活雜質(zhì),硅化物形成,歐姆/肖特基接觸制備以及快速氧化/氮化的缺陷消除,消除膜應(yīng)力,改善漆膜附著力等方面。該設(shè)備具有良好的長期工作穩(wěn)定性,快速的溫度上升和下降以及緩慢的溫度上升和下降功能,因此還可以用于PVD/CVD工藝中各種半導(dǎo)體材料的熱處理。
 

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