TDBA-SAF（具有AIE聚集誘導(dǎo)發(fā)光性質(zhì)材料）

產(chǎn)品名稱TDBA-SAF

化學(xué)品10-(2,12-di-tert-butyl-5,9-dioxa-13bboranaphtho[3,2,1-de]anthracen-7-yl)-10H-spiro[acridine-9,9'-fluorene

Grade：Sublimed, > 99%

分子式：C51H42BNO2

分子量：711.70 g/mole

HOMO：-5.7 eV

LUMO：-2.4 eV

Storage：*Inquiry

西安齊岳生物研究具有深藍色發(fā)光、能同時捕獲單線態(tài)和三線態(tài)激子的TADF發(fā)射體對于構(gòu)建OLEDs器件至關(guān)重要。TADF發(fā)射體分別在供體(D)和受體(A)單元上分離了占據(jù)分子軌道(HOMO)和未占據(jù)分子軌道(LUMO)。分開的HOMO和LUMO使電子交換能量小化，從而導(dǎo)致較小的單重態(tài)(S1)-三重態(tài)(T1)能級差(ΔEST)。因此，可以通過選擇合適的供體和受體來調(diào)節(jié)TADF發(fā)射體的發(fā)射能量。另外，雖然具有窄的發(fā)射半峰寬(FWHM)的TADF發(fā)射器已有報道，但尚未報道EQE接近30％且CIE y坐標(biāo)低于0.1的深藍色TADF OLED?；诼葸灌ぼ痰墓w由于sp2雜化的螺芴能降低HOMO能級，因此作者選用螺型螺雙吖啶(SAB)和螺吖啶芴(SAF)作為供體單元，兩種氧橋硼叔丁基二氧雜環(huán)丁烷蒽(TDBA)和二氧雜環(huán)丁烷蒽(DBA)作為受體單元構(gòu)建了一種D-A型分子TDBA-SAF和A-D-A型分子DBA-SAB(圖1)，并分別用Gauss 09計算了HOMO、LUMO能級和自然躍遷軌道(NTO)。

圖1 a)計算的受體單位的LUMO水平和供體單位的HOMO水平。高斯09，B3LYP / 6-31G(d))。b)1CT，3CT和3LE狀態(tài)的TDBA-SAF和DBA-SAB的計算的自然過渡軌道(NTO)。使用每個激發(fā)態(tài)的優(yōu)化幾何結(jié)構(gòu)進行NTO計算。(1CT，3CT優(yōu)化：高斯09、6-31G(d，p)/ CAM-B3LYP，3LE優(yōu)化：高斯09、6-31G(d，p)/ M06-2X，1CT，3CT單點能量：捷豹， 6–31G(d，p)/ ωB97X‐D(ω= 0.1)，3LE單點能量：美洲虎，6–31G(d，p)/ M06-2X)。

圖2a顯示了兩種分子在不同溶劑中的吸收和發(fā)射光譜。在甲苯中的發(fā)射光譜很窄(FWHM分別為47和52 nm)，這是因為TDBA-SAF和DBA-SAB的剛性供體和受主單元的。由于D–A結(jié)構(gòu)的Frank–Condon因子的比A–D–A結(jié)構(gòu)大，TDBA-SAF的斯托克斯位移比DBA-SAB小。較小的斯托克斯位移有利于實現(xiàn)深藍色發(fā)射。同時，隨著溶劑極性的增加，PL光譜的紅移表明了兩種分子都表現(xiàn)出的CT性質(zhì)。在高T1主體材料二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基氧化膦(DPEPO)中使用20 wt％摻雜的薄膜測量了光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)，發(fā)射偶極取向(EDO)和瞬態(tài)衰減(圖2b,c)。兩個發(fā)射器都有很高的PLQY和Θ，TDBA-SAF分別為90％和81％，DBA-SAB分別為87％和89％(Θ圖2b)。發(fā)射極的瞬態(tài)PL衰減曲線如圖2c所示。與在溶液狀態(tài)下的瞬態(tài)PL衰減曲線相比，衰減曲線的穩(wěn)態(tài)分量和延遲分量都顯示出多指數(shù)衰減，這源于具有不同二面角的分子構(gòu)象。另外，TDBA-SAF的穩(wěn)態(tài)衰減比DBA-SAB更快，但在延遲衰減中卻相反。這是由于雖然雖然DBA-SAB和TDBA-SAF具有相似的輻射衰減速率常數(shù)Kr，但TDBA-SAF具有更大的系間竄越速率常數(shù)Kisc。DBA-SAB(1.9 × 106 s?1)和TDBA-SAF都具有較大的反系間竄越速率常數(shù)KRISC，高于先前報道的藍色TADF發(fā)射體。TDBA-SAF的Kisc比KRISC大十倍，因此延遲發(fā)射的衰變壽命比DBA-SAB長。

相關(guān)產(chǎn)品：

cas2376325-67-4 mPAC

TDBA-SAF

cas2506256-67-1 PAC

cas1623010-64-9 TXO-PhCz

cas1623010-63-8 TXO-TPA

PFSO

PFSO-T5

PF-TD2PO1

PF-TD2DV2

PFSO-BT1

PFSO-DTBT1

電子傳輸材料

cas1480371-38-7 Phen-NaDPO

cas2244035-12-7 TRZ-m-Phen

cas131159-39-2  C60

cas160848-22-6 PC61BM

空穴傳輸材料

cas1333317-99-9 PTAA

cas472960-35-3 Poly-TPD

cas2243991-97-9 S-Poly-TPD

cas207739-72-8 Spiro-OMeTAD

OPV 給體材料

PTzBI-Cl

PFBT4T-C5Si-25% (Si25)

NTOD

FBT-Th4

OPV 受體材料

cas2304444-49-1 Y6

cas2447642-40-0  Y6-4Cl

Y6-2Br

Y6-C10C12

Y6-C10C12-4Cl

Y6-C10C12-2Br

Y6-C10C12-4FNa

cas2389125-23-7  Y6-BO

Y6-BO-2Br

cas2414918-25-3  Y7-BO

N3

N3-4Cl

Y14

N3-2Br

L8-BO

LC-333

cas1100243-40-0 N2200

cas1797409-92-7  DPPEZnP-THE

cas1797409-89-2

界面層材料

cas1803568-30-0  NDI-NBr

cas673474-74-3  PFN

cas889672-99-5 PFN-Br

PFNDI

cas2169941-79-9  PFNDI-Br

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溫馨提醒：供科研zhn2021.08.17