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靶材和半導體材料可分為晶圓材料和封裝材料。與晶圓制造材料相比，封裝材料的技術(shù)壁壘相對較低。晶圓的生產(chǎn)主要涉及七種半導體材料和化學品，其中一種是特種材料靶材。
特種材料靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應用行業(yè)薄膜技術(shù)的發(fā)展趨勢密切相關(guān)。隨著薄膜產(chǎn)品或元件在應用行業(yè)的技術(shù)進步，目標技術(shù)也應該發(fā)生變化。簡而言之，靶材就是被高速帶電粒子轟擊的靶材。通過更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦??、鎳靶材等）可以獲得不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐合金膜）。
按應用領(lǐng)域不同可分為：半導體芯片靶材、平板顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材、改性靶材、電子器件靶材等。高純?yōu)R射靶材和金屬靶材的鋁、鈦、銅和鉭。在半導體晶圓的制造中，200毫米（8英寸）及以下晶圓的制造通常以鋁制工藝為主，使用的靶材主要是鋁和鈦元素。300mm（12英寸）晶圓制造，多采用*的銅互連技術(shù)，主要使用銅和鉭靶材。
各種類型的濺射薄膜材料已廣泛應用于半導體集成電路（VLSI）、光盤、平板顯示器和工件表面涂層等領(lǐng)域。濺射靶材與濺射技術(shù)的同步發(fā)展，很大地滿足了各種新型電子元件發(fā)展的需要。長時間連續(xù)濺射容易使靶材開裂。結(jié)合背靶后，可以提高復合靶的導熱性，提高靶的使用壽命。
1、特種材料靶材采用高純銦作為焊料，銦焊厚度0.2mm左右，高純無氧銅作為背靶。
2、高純銦的熔點約為156℃，超過熔點的目標工作溫度會導致銦熔化。
3、綁定背靶不會影響靶材的正常使用。
4、陶瓷脆性靶材和燒結(jié)靶材在高功率濺射下易碎。建議濺射功率不要超過3W/cm2。
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