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低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點

來源:西安齊岳生物科技有限公司   2022年04月12日 16:32  

低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點

采用多種多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點,并通過溶液共混法制備了透明的量子點/PVB復(fù)合材料。同時,通過紅外光譜(IR)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外光譜(UV)、熒光光譜(PL)等測試手段對POSS修飾的量子點以及復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和熒光性質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)的研究?!?/span>

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點的制備方法

將量的POSS-SH和4ml非極性有機(jī)溶劑加入到單口燒瓶中,置于搖床中振蕩,使POSS-SH*溶解。隨后,將4mlCdSe/CdS/ZnS核殼量子點加入到上述溶液中,室溫下中速振蕩8h。反應(yīng)結(jié)束后避光保存。

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點的實驗原理

33.png

基于巰基與金屬之間的相互作用,用巰基化合物對量子點進(jìn)行表面修飾是一-種的方法。本章使用POSS-SH與CdSe/CdS/ZnS核殼量子點進(jìn)行配體交換,制備了QDs@POSS-SH,如圖2-2所示。

兩種不同發(fā)射波長的CdSe/CdS/ZnS及其對應(yīng)QDs@POSS-SH在日光和紫外線照射下的宏觀狀態(tài)如圖2-3所示(未修飾和經(jīng)POSS-SH修飾的量子點的濃度相同)。在紫外光照射下,CdSe/CdS/ZnS及其對應(yīng)QDs@POSS-SH發(fā)射出某些波長的光,分別為紅色和。這是因為量子點由于量子限域效應(yīng)而使電子和空穴在三個空間方向上的運動,受激后發(fā)出熒光。

33.png

兩種不同發(fā)射波長的CdSe/CdS/ZnS和QDs@POSS-SH的熒光光譜如圖2-7所示。紅光量子點和黃光量子點的發(fā)射波長分別為630nm和580nm,半高峰寬(FWHM)均為28nm。經(jīng)POSS-SH修飾后,量子點的熒光強度10%。

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以上資料來自小編axc,2022.04.12

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