CVD是化學氣相沉積的簡稱，是半導體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，理論上即：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設(shè)備則由三套及以上的設(shè)備組合而成即：高溫爐（提供實驗溫度）+供氣系統(tǒng)（提供多種氣體混合）+真空系統(tǒng)（提供真空實驗環(huán)境）。

化學氣相沉積（CVD）設(shè)備的靈活度很高，客戶可根據(jù)自己實驗要求選擇合適的產(chǎn)品來組合，或者直接選擇CVD套裝。

一、高溫爐的選擇

     一般都是選擇管式爐，管式爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度。根據(jù)材料的大小，以及實驗需要的溫度選擇合適溫度，合適口徑的管式爐。

二、供氣系統(tǒng)選擇：

     供氣系統(tǒng)即混氣裝置，它可以實現(xiàn)2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中。供氣系統(tǒng)中使用了不同種類的流量計，根據(jù)氣體的性質(zhì)決定。本公司的供氣系統(tǒng)流量計一般使用了2類，見如下說明：

1.氣體流量計：

浮子流量計：氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。

質(zhì)量流量計：氣體通過D07質(zhì)量流量計精確控制進氣量。

2、氣液混合流量計：

用于液體高溫氣化后導入CVD系統(tǒng)的設(shè)備。

三、真空系統(tǒng)選擇：

      真空系統(tǒng)為CVD實驗提供實驗的真空環(huán)境，將管式爐中的空氣抽走，達到真空的環(huán)境?？蛻舾鶕?jù)自己實驗所需真空度大小及實驗所需清潔程度來選擇合適的真空裝置。

（1）低真空系統(tǒng)。采用雙級真空泵，標配電阻規(guī)真空計；

（2）高真空系統(tǒng)。采用進口分子泵，自帶真空計或者采用國產(chǎn)分子泵，自帶真空計。