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隨著工藝制程的逐漸提升，EUV以及高NA EUV光刻機(jī)的出現(xiàn)，對(duì)于掩膜帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。掩模缺陷的影響將越來(lái)越大，這表明掩模設(shè)計(jì)規(guī)則需要變得更加嚴(yán)格。
因此，為了實(shí)現(xiàn)更加靈活的光刻過(guò)程，業(yè)界開(kāi)始研究用其他的東西取代物理掩膜，甚至干脆不使用掩膜進(jìn)行加工，這樣的方法稱(chēng)為“無(wú)掩膜光刻”。
直寫(xiě)光刻也稱(chēng)無(wú)掩膜光刻，是指計(jì)算機(jī)控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，無(wú)需掩膜直接進(jìn)行掃描曝光。
直寫(xiě)光刻根據(jù)輻射源的不同大致可進(jìn)一步分為兩大主要類(lèi)型：一種是基于帶電粒子的直寫(xiě)光刻（CPML），包括電子束直寫(xiě)、離子束直寫(xiě)等；另一種是基于光學(xué)的直寫(xiě)光刻（OML），包括干涉光刻、激光直寫(xiě)光刻，以及基于空間光調(diào)節(jié)器的光刻技術(shù)等。
使用可編程控制的SLM器件直接對(duì)照明光束進(jìn)行調(diào)制，形成不同的圖形直接投影在襯底上完成曝光，相當(dāng)于將實(shí)體的掩膜版數(shù)字化，稱(chēng)為基于SLM的數(shù)字光刻技術(shù)。
無(wú)掩膜光刻是一種能將光的空間分布進(jìn)行調(diào)制的微型器件，由很多微小單元呈線型或方陣排列而成。這些單元通過(guò)計(jì)算機(jī)編程控制，便捷的將圖形掩膜數(shù)字化，通過(guò)編程靈活性的改變掩膜形狀，替代了傳統(tǒng)光刻使用的“物理掩膜版”，從而避免了傳統(tǒng)光刻系統(tǒng)掩膜版制造復(fù)雜昂貴、靈活性差等問(wèn)題。
無(wú)掩膜光刻在泛半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，直寫(xiě)光刻與掩膜光刻應(yīng)用的細(xì)分市場(chǎng)所要求的光刻精度（最小線寬）具有明顯差別。
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