3.1    使用環(huán)陣探頭+相控陣線掃的檢測結(jié)果

先看激發(fā)8個晶片的檢測結(jié)果，其中20mm處螺帽與螺桿交界處的刻槽缺陷檢測結(jié)果如下。

缺陷深度21.89mm。

80mm處的刻槽缺陷檢測結(jié)果如下，缺陷位置深度78.89mm。

140mm處的刻槽缺陷檢測結(jié)果如下，缺陷位置深度138.17mm。

其他條件不變，改變一次激發(fā)晶片數(shù)量至4個晶片的檢測結(jié)果如下，較淺的20mm和80mm缺陷較清晰，但140mm處的缺陷信號比較弱。

改變一次激發(fā)晶片數(shù)量至2個晶片的檢測結(jié)果如下，此時幾乎無法發(fā)現(xiàn)140mm處的缺陷信號。

而如果增加一次激發(fā)晶片數(shù)量至16個晶片的檢測結(jié)果如下，140mm處的缺陷信號更加清晰，但由于晶片環(huán)形排列，16晶片跨越的弧度較大，無法有效形成聚焦，因而信號被拉長放大。這與線陣探頭的信號成像規(guī)律剛好相反。

如果增加一次激發(fā)晶片數(shù)量至32個晶片的檢測結(jié)果如下，此時由于32晶片跨越了一半的晶片寬度，也就是整個半個圓弧的晶片都被激發(fā)，此時由于這32個晶片不在一條水平線上直線排列，而是半圓弧型排列，聲束無法聚焦，信號變形嚴重，也幾乎無法發(fā)現(xiàn)140mm處的缺陷信號。

小結(jié)：由上面的線掃檢測結(jié)果可知，當使用8個晶片進行螺栓檢測時可以得到相對更好的檢測結(jié)果，而使用更少的晶片激發(fā)時，由于激發(fā)晶片過少，聲束穿透能力降低，檢測更深的缺陷的能力變?nèi)?；而使用更多的晶片激發(fā)時，由于激發(fā)晶片增加，導致晶片由于不在一條直線上而造成聚焦能力反而降低，信號被拉長放大。

3.2    使用全聚焦的檢測結(jié)果

使用全聚焦技術(shù)同樣可以發(fā)現(xiàn)這些刻槽缺陷，且深度和位置與實際一致，缺陷信噪比較好。

但由于該試塊是不帶中心孔的螺栓試塊，所以需要考慮如果檢測帶中心孔的試塊可能對全聚焦聲束合成造成的影響。

3.3    使用線陣探頭扇掃的檢測結(jié)果

使用線陣探頭，并使用扇掃同樣可以發(fā)現(xiàn)這些缺陷，但如果要發(fā)現(xiàn)20mm位置的螺帽與螺桿交界處的刻槽，則需要使用楔塊以增大進入螺栓的入射角，且該刻槽缺陷與螺帽的邊緣底面信號很接近，比較難分辨。

如果想檢測80mm和140mm位置的缺陷，則需要使用不帶楔塊的方式，以避免由于楔塊的固有回波影響檢測結(jié)果。

下面是80mm和140mm位置缺陷的檢測結(jié)果，需要強調(diào)的是這兩個缺陷無法在一個位置被發(fā)現(xiàn)，需要旋轉(zhuǎn)探頭才能夠被發(fā)現(xiàn)。