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隨著半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展，對(duì)硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求，適合微細(xì)加工的大直徑硅片在市場(chǎng)的需求比例將日益加大。半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝目前世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使制片技術(shù)取得明顯進(jìn)展。新技術(shù)的導(dǎo)入，使SOI等高功能晶片的試制開發(fā)也進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。對(duì)此，硅片生產(chǎn)廠家也增加了對(duì)300mm硅片的設(shè)備投資，針對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的進(jìn)一步微細(xì)化。利用超聲波清洗技術(shù)，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內(nèi)往復(fù)掃動(dòng)，帶動(dòng)清洗液形成細(xì)微回流，使工件污垢在被超聲剝離的同時(shí)迅速帶離工件表面，提高清洗效率。
超聲波清洗方法及其放置方向
將被洗研磨硅片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內(nèi)具有去離子水高度并不斷流動(dòng)的條件下，利用設(shè)在清洗槽底部的超聲波振子進(jìn)行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鐘將研磨硅片翻一個(gè)面，連續(xù)超洗至被超洗的研磨硅片表面沒有黑色污染物冒出止。超聲波清洗單晶硅片裝置清洗槽的槽壁上設(shè)有進(jìn)水口和出水口，槽底部下方設(shè)有超聲波振子，清洗槽槽內(nèi)設(shè)有一擱置單晶硅片的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒形成的平面低于去離子水水平面，整個(gè)框架由支撐腳支撐在清洗槽內(nèi)。
具體實(shí)施時(shí)，石英棒距離清洗槽的底壁為15厘米。清洗時(shí)，單晶硅片可以平置在石英棒上，將現(xiàn)有的豎超洗改成平超洗，消除了單晶硅片在豎超洗狀態(tài)下，污染物會(huì)殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈，以及承載硅片的軟體花籃會(huì)吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象，具有結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單、用水量大大減少的優(yōu)點(diǎn)。
采用超聲波清洗機(jī)的優(yōu)點(diǎn)
1、采用了真空脫氣技術(shù)有效去除液體中氣體，且運(yùn)用拋動(dòng)功能，增強(qiáng)超聲對(duì)工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時(shí)間;
2、洗籃設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)重疊不可分拆的零件或形狀復(fù)雜的零件，也可做到均勻完整的清洗;
3、減壓真空系統(tǒng)能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態(tài)下產(chǎn)生
4、真空蒸汽清洗+真空干燥系統(tǒng)利用蒸汽洗凈做養(yǎng)護(hù)，實(shí)現(xiàn)清洗效果;
5、蒸汽清洗、干燥及清洗液加熱的全過程在減壓真空中進(jìn)行，更有效地確保了安全性;
6、防爆配件及簡(jiǎn)潔加熱系統(tǒng)，進(jìn)一步提高安全度;
7、加熱溫度自動(dòng)可調(diào);
8、設(shè)有安全保險(xiǎn)裝置;
9、超聲輸出頻率可根據(jù)不同工作情況進(jìn)行微調(diào).
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