手機版
化工儀器網(wǎng)手機版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號：chem17
掃碼關注視頻號
金屬納米3D打印發(fā)表Nature子刊！小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)圖案化基底制備
論文題目：Metal 3D nanoprinting with coupled fields
發(fā)表期刊：Nature Communications IF: 17.69
DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-023-40577-3
【前言】
3D納米金屬結(jié)構陣列在納米光學，納米電學等領域有著非常巨大的研究價值。由于納米金屬結(jié)構陣列的每一個單元的結(jié)構尺寸都為納米級，結(jié)構尺寸小于入射光光源的波長，因此能夠?qū)夂臀镔|(zhì)間的相互作用進行更深入的研究。傳統(tǒng)的納米金屬結(jié)構制造方法主要依賴于光刻技術，該技術在選擇可加工材料方面比較受限，結(jié)構的制備周期較長，同時僅能制備平面圖案和結(jié)構。
近日，上?？萍即髮W課題組通過將流場與電場進行耦合，實現(xiàn)了在納米尺度上的金屬結(jié)構3D打印。通過調(diào)整電場和流場，可實現(xiàn)不同幾何構型的納米金屬結(jié)構的制備。該方法可在20分鐘內(nèi)在4 X 4 mm2的范圍內(nèi)制備3D納米金屬結(jié)構陣列，其制備的最細金屬結(jié)構線寬僅為14 nm。此外，課題組通過調(diào)節(jié)打印時的原材料，實現(xiàn)了從單一3D納米金屬結(jié)構打印，到合金3D納米金屬結(jié)構制備。該工作以Metal 3D nanoprinting with coupled fields為題，發(fā)表于Nature Communications上。
本文中，不同間距的圖案化結(jié)構樣品是由小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備而成，該設備的結(jié)構小巧緊湊(70 cm x 70 cm x 70 cm)、無需掩膜版、高直寫速度以及高分辨率等特點，為本實驗3D納米金屬結(jié)構的制備做出了關鍵的方案支撐。
近日，上?？萍即髮W課題組通過將流場與電場進行耦合，實現(xiàn)了在納米尺度上的金屬結(jié)構3D打印。通過調(diào)整電場和流場，可實現(xiàn)不同幾何構型的納米金屬結(jié)構的制備。該方法可在20分鐘內(nèi)在4 X 4 mm2的范圍內(nèi)制備3D納米金屬結(jié)構陣列，其制備的最細金屬結(jié)構線寬僅為14 nm。此外，課題組通過調(diào)節(jié)打印時的原材料，實現(xiàn)了從單一3D納米金屬結(jié)構打印，到合金3D納米金屬結(jié)構制備。該工作以Metal 3D nanoprinting with coupled fields為題，發(fā)表于Nature Communications上。
本文中，不同間距的圖案化結(jié)構樣品是由小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備而成，該設備的結(jié)構小巧緊湊(70 cm x 70 cm x 70 cm)、無需掩膜版、高直寫速度以及高分辨率等特點，為本實驗3D納米金屬結(jié)構的制備做出了關鍵的方案支撐。
小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3
【圖文導讀】
圖1. 3D金屬納米打印過程中電場與流場的耦合。（a）在制備3D金屬納米結(jié)構過程中，流場與電場間的耦合示意圖。（b）電場和流場耦合后電場分布模擬結(jié)果。（c）電場和流場耦合模擬的放大圖。（d）和（e）3D金屬納米結(jié)構打印的SEM結(jié)果。（f）金納米顆粒的粒徑分布圖。圖中灰色部分代表了五次測量結(jié)果的誤差分布情況。（g）金納米顆粒隨著電場和流場的粒徑分布變換結(jié)果。（h）制備的納米結(jié)構在FIB加工前后的SEM結(jié)果。（i）可制備彎曲角度為105°的納米結(jié)構。（j）可制備寬度為25 nm的結(jié)構。（k-l）寬度為14 nm的金線結(jié)構。（n-m）制備符合金屬納米結(jié)構。（o）為能譜分析。
圖2. 不同電壓下的電場分布圖。（a）利用光刻膠獲得局部電場的示意圖。（b）通過SEM表征，所制備出的納米結(jié)構顯示出鏡面對稱性。（c）電壓緩沖區(qū)高度與絕緣區(qū)域間距的關系。（d）不同絕緣間距條件下，不同電壓所產(chǎn)生的電壓緩沖區(qū)域高度。（e-i）電壓為400V，500V，600V，700V和800V條件下的3D打印納米結(jié)構。圖中比例尺為5 μm。
圖3. 通過耦合場3D打印的方式利用不同金屬材料制備周期性納米結(jié)構的SEM表征結(jié)果。圖中所有比例尺為5 μm。
圖4. 3D納米結(jié)構的能譜分析。圖中的比例尺均為1 μm。
圖5. 通過耦合場的方法制備混合3D結(jié)構的SEM成像和能譜分析結(jié)果。圖中的比例尺為1 μm。
圖2. 不同電壓下的電場分布圖。（a）利用光刻膠獲得局部電場的示意圖。（b）通過SEM表征，所制備出的納米結(jié)構顯示出鏡面對稱性。（c）電壓緩沖區(qū)高度與絕緣區(qū)域間距的關系。（d）不同絕緣間距條件下，不同電壓所產(chǎn)生的電壓緩沖區(qū)域高度。（e-i）電壓為400V，500V，600V，700V和800V條件下的3D打印納米結(jié)構。圖中比例尺為5 μm。
圖3. 通過耦合場3D打印的方式利用不同金屬材料制備周期性納米結(jié)構的SEM表征結(jié)果。圖中所有比例尺為5 μm。
圖4. 3D納米結(jié)構的能譜分析。圖中的比例尺均為1 μm。
圖5. 通過耦合場的方法制備混合3D結(jié)構的SEM成像和能譜分析結(jié)果。圖中的比例尺為1 μm。
【結(jié)論】
上?？萍即髮W課題組，通過流場與電場耦合的方式實現(xiàn)了在納米尺度上對金屬納米結(jié)構的3D打印。通過調(diào)節(jié)電場電壓，實現(xiàn)了不同幾何構型的3D納米金屬結(jié)構的打印。從文中可以看到，除了調(diào)節(jié)電場電壓外，作者為了獲得不同的3D納米金屬結(jié)構，還使用了MicroWriter ML3小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)在硅基底上制備了不同間距的圖案化結(jié)構，從而獲得不同幾何形狀的3D納米金屬結(jié)構。從論文中不難看出，MicroWriter ML3小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)可以根據(jù)科研的實際需要，迅速地制備出相關微納結(jié)構，保證了實驗的順利進行，為通過耦合場的方式打印3D納米金屬結(jié)構的研究提供了堅實有力的支持。
相關產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的，應在授權范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
采購中心