清華先進材料實驗室攻克鎳基單晶高溫合金蠕變碳化物跨尺度原位解析難題
研究背景
鎳基高溫合金在各種環(huán)境下的性能表現(xiàn)與其微觀結(jié)構(gòu)密切相關(guān),但傳統(tǒng)表征技術(shù)存在明顯局限。例如,單束掃描電子顯微鏡(SEM)難以兼顧高分辨率與大視場成像,導致無法全面統(tǒng)計納米級碳化物的分布特征。多束SEM雖提高了通量,卻無法同時獲取形貌與成分信息,從而限制了研究者對碳化物空間分布、界面行為及動態(tài)演化規(guī)律的深入理解。此外,傳統(tǒng)方法依賴人工標注海量圖像數(shù)據(jù),效率低下且難以精確量化Re元素對碳化物粗化的影響。為此,清華大學先進材料實驗室開發(fā)了一種創(chuàng)新的單束高通量SEM技術(shù),結(jié)合改進的深度學習模型,實現(xiàn)了從宏觀到原子尺度的多維度表征。
技術(shù)創(chuàng)新與方法
本研究通過多學科交叉融合,構(gòu)建了一套完整的碳化物跨尺度表征體系,主要包括以下技術(shù)突破:
高通量SEM成像技術(shù)
自主研發(fā)的電子光學系統(tǒng)實現(xiàn)了二次電子(SE)與背散射電子(BSE)信號的同步采集,成像速度高達每秒2億像素。通過大面積陣列掃描(覆蓋12.96×4.33 mm2區(qū)域),生成了分辨率達15 nm的TB級全景圖譜,為碳化物的統(tǒng)計分析提供了高精度數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
智能圖像分析與特征識別
采用改進的U-Net模型,結(jié)合數(shù)據(jù)增強技術(shù)(如隨機裁剪、旋轉(zhuǎn)等),實現(xiàn)了碳化物的自動標注,準確率超過95%。通過多尺度特征融合算法,成功區(qū)分了MC型(Ta/Hf富集)與M23C6型(Cr/Re富集)碳化物,并量化了其在枝晶間與枝晶內(nèi)的分布差異。
跨尺度關(guān)聯(lián)與驗證
基于全景圖譜提取了碳化物的尺寸、體積分數(shù)及空間分布密度等關(guān)鍵參數(shù),揭示了蠕變過程中MC分解與M23C6生長的動態(tài)競爭機制。同時,利用STEM-HAADF與EDS技術(shù),在原子尺度上解析了M23C6/γ′基體的共格界面及Re元素的占位特征,驗證了位錯釘扎效應與擴散抑制機制。
科學發(fā)現(xiàn)與應用價值
動態(tài)演化規(guī)律
研究發(fā)現(xiàn),蠕變過程中MC碳化物逐漸分解,而M23C6碳化物則通過Re元素的晶格占位抑制粗化,從而提升了材料的高溫穩(wěn)定性。
界面強化機制
通過原子尺度分析,證實了M23C6/γ′共格界面對位錯的釘扎作用,為優(yōu)化高溫合金的抗蠕變性能提供了理論依據(jù)。
工程應用指導
研究結(jié)果表明,當M23C6體積分數(shù)超過0.25%時,材料的蠕變壽命可提升23%。此外,Re元素的摻雜閾值(原子占比>2.5%)為平衡材料性能與加工工藝提供了重要參考。
圖文概覽
1:展示了單束高通量SEM技術(shù)的工作流程,包括樣品制備、電子光學系統(tǒng)設(shè)計及全景圖譜生成。
(A)高溫合金的中間合金。(B) 高溫合金的蠕變試桿。藍色箭頭表示施加的力 [001] 的方向。(C) 蠕變斷裂樣品的冷鑲嵌 [100] 縱向截面。(D) 單光束高通量 SEM 的電子光學系統(tǒng)。(E) 陣列掃描區(qū)域以綠色顯示。(F) (E) 中橙色框的詳細視圖。(G) 單個 15 nm 原生像素分辨率 BSE 圖像。(H) 來自 1774 張 BSE 圖像的機器學習和自動蒙太奇后的全景圖(右)和示例細節(jié)(左)。MC 和 M23C6這里的碳化物分別標記為紅色和綠色。此處全景圖中的矩陣以黑色顯示。(I) TEM 和 STEM 的電子光路。(J 和 K) 硬質(zhì)合金微觀結(jié)構(gòu)示意圖。(L) 蠕變破裂樣品的蠕變曲線。(M) 微觀結(jié)構(gòu)分析是大規(guī)模高通量觀察和宏觀尺度性能之間的紐帶。
圖2:詳細說明了基于機器學習的碳化物自動檢測與標注過程
(A)從陣列掃描中獲取大量 BSE 圖像,其中 100 張隨機選擇作為訓練/測試圖像。(B) 左圖示意性地顯示了包含初級碳化物(白色)、次級碳化物(淺灰色)和基體(深灰色)的訓練/測試 BSE 圖像之一。中間和右圖說明了訓練/測試圖像的半自動數(shù)據(jù)標記后的圖像,其中初級和次級碳化物分別用橙色和藍色標記。(C) 從原始圖像中隨機提取許多具有固定窗口大小的圖像塊并標記訓練/測試圖像,此處用黃色虛線框(左)表示,然后應用縮放、旋轉(zhuǎn)、剪切、鏡像和作(右)來構(gòu)建用于模型訓練和測試的最終圖像數(shù)據(jù)集。(D) 使用 U-Net 分割建立自動特征檢測模型,并使用訓練/測試圖像來調(diào)整模型參數(shù)并檢查模型的準確性。(E) 該模型用于自動識別其余陣列掃描 BSE 圖像(左)中的特征,所有圖像中的初級碳化物和次級碳化物分別標記為紅色和綠色(中),從而可以創(chuàng)建帶有標記碳化物的全景圖。
圖 3.MC 和 M 空間分布的異質(zhì)性23C6五個樣品中的碳化物
(A) 五個樣品中每個樣品的全景圖譜,顯示了兩種碳化物空間分布的異質(zhì)性。MC 和 M23C6碳化物分別標記為紅色和綠色。請注意,此處的基體顯示為黑色,以增強這些縮小尺寸圖像中碳化物的可見性。藍色箭頭表示高溫合金的熱處理和蠕變時間表。比例尺,1 毫米。(B 和 D) 3 x 1 蒙太奇區(qū)域的示例,顯示樹枝間和樹突區(qū)域,對應于 (A) 中由橙色和黃色線框標記的區(qū)域。這里的基體被人為地變成了黑色,以顯示對比度更高的碳化物。比例尺,50 μm。(C 和 E) 顯示碳化物和 γ/γ' 基體的更高放大倍率視圖。
圖 4基于樣品比例數(shù)據(jù)的碳化物統(tǒng)計分析
(A 和 B)所有 MC 和 M 的大小分布23C6五個樣品中的碳化物。單個 MC/M23C6此處定義的 Carbide 是每個全景圖集中的單個閉合紅/綠區(qū)域。每個彩色點代表一個碳化物,水平散布顯示每個值的點數(shù)。黑色圓圈是平均值。(C) 五個樣本的總陣列掃描面積(條形圖,左縱坐標)和 M 的數(shù)量23C6蠕變樣品的每單位面積碳化物數(shù)(折線圖,使用科學記數(shù)法的右縱坐標)。(D) MC(紅色填充)和 M 的體積(面積)分數(shù)23C6(綠色填充)碳化物。M 沒有數(shù)據(jù)的原因23C6SA1 和 SA2 中的碳化物是沒有 M23C6存在于樣品 SA1 和 M 23C6不能在 SA2 中充分蝕刻。
圖 5.M 的微觀結(jié)構(gòu)M23C6碳化物及其與周圍基體的關(guān)系
(A)SA1試樣枝晶區(qū) 晶帶軸取向:g = [020],B = [100]
顯微特征:未觀察到M23C6碳化物,γ′相(粉色區(qū)域)與γ相(白色區(qū)域)均勻分布,無位錯網(wǎng)絡。標尺:0.5 μm
(B)SA2試樣枝晶區(qū) 晶帶軸取向:g = [110],B = [110]
紅色箭頭指示:沿γ相(白色區(qū)域)位錯線形核的M23C6碳化物簇(非連續(xù)分布)。標尺:0.5 μm
(C)SA3試樣枝晶區(qū)(蠕變22.2小時) 晶帶軸取向:g = [002],B = [100]
結(jié)構(gòu)演化:M23C6碳化物侵入γ通道(平行/垂直應力方向),γ′相筏化結(jié)構(gòu)初步形成。標尺:0.5 μm
(D)SA4試樣枝晶區(qū)(蠕變131.6小時) 晶帶軸取向:g = [020],B = [100]
綠色三角標注:M23C6/γ′界面處位錯網(wǎng)絡,通過{001}共格界面釋放錯配應力。標尺:0.5 μm
(E)SA5試樣枝晶區(qū)(蠕變斷裂) 晶帶軸取向:g = [020],B = [100]
關(guān)鍵特征:M23C6/γ′界面位錯密度顯著增加(綠色三角),γ′筏顯著粗化。標尺:0.5 μm
(F)M23C6碳化物演化示意圖(SA1→SA5)γ′相:粉色區(qū)域γ相:白色區(qū)域
演化路徑:無析出(SA1)→位錯形核(SA2)→γ通道填充(SA3)→界面位錯網(wǎng)絡形成(SA4)→筏狀基體協(xié)同變形(SA5)
(G)多面體M23C6碳化物模型
幾何特征:26面體(含{001}、{110}、{111}晶面),與γ′基體共格(H-I)晶帶軸投影
H:[100]軸投影:立方對稱性
I:[110]軸投影:Re原子(高Z襯度)有序占位(J-O)HAADF-STEM圖像與EDS元素分布
(J)M23C6碳化物(B = [100])a(HAADF):原子級分辨率顯示碳化物晶格b(EDS):Re-Lα信號富集于核心
(K)(001) M23C6/γ′界面(B = [100])a:{001}界面原子級共格(無位錯)b:Cr/Re沿界面偏聚
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