關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體/硅蝕刻/蝕刻液

行業(yè)：半導(dǎo)體/蝕刻液

CT-1Plus自動(dòng)電位滴定儀測(cè)定混酸含量——硝酸氫氟酸

摘要

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，刻蝕技術(shù)是實(shí)現(xiàn)微電子器件精細(xì)加工的關(guān)鍵步驟之一。半導(dǎo)體濕法刻蝕工藝，簡(jiǎn)稱濕法刻蝕，是一種通過(guò)化學(xué)溶液來(lái)去除晶圓表面特定材料層的技術(shù)。這種工藝?yán)没瘜W(xué)反應(yīng)來(lái)精確地控制材料的形狀和尺寸，以滿足半導(dǎo)體器件的制造要求。本文主要介紹通過(guò)CT-1Plus自動(dòng)電位滴定儀來(lái)測(cè)試硝酸/氫氟酸蝕刻液體系的含量。

儀器配置

●CT-1Plus電位滴定儀

●pH102電極(or銻電極）

●20mL高精度計(jì)量管

●100mL滴定杯 試劑配置

●滴定劑：氫氧化鈉標(biāo)準(zhǔn)溶液

●滴定度：0.5111mol/L

●溶劑

測(cè)定方法

●酸堿滴定/電位滴定

●稱取適量試樣于燒杯中，加50mL溶劑溶解，攪拌均勻，插入電極，選用蝕刻液測(cè)試方法，用氫氧化鈉標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定到終點(diǎn)

儀器參數(shù)

● 最小滴定體積：10μL  

● 最大滴定體積：100μL

● 攪拌速度：200        

● 每滴間隔：1500ms

● 終點(diǎn)模式：微分判定   

● 微分設(shè)置：200

測(cè)試數(shù)據(jù)

● 環(huán)境溫度：20℃ ● 環(huán)境濕度：46%  

● 測(cè)試時(shí)間：2min  

次序

樣品質(zhì)量/g

試劑消耗/mL

測(cè)量結(jié)果/%

均值/%

1-1

0.5634

3.6071/6.4735

20.62%/5.20%

20.72%/5.17%

1-2

0.5440

3.5215/6.2491

20.84%/5.13%

測(cè)試結(jié)果：經(jīng)測(cè)試，蝕刻液的硝酸濃度約為20.72%，氫氟酸濃度約為5.17%。