一、測(cè)試環(huán)境參數(shù)

1. 測(cè)試溫度范圍

• 中高溫測(cè)試：125-175℃（消費(fèi)電子、工業(yè)控制）；

• 高溫可靠性測(cè)試：175-250℃（汽車電子、航天）。

• 基礎(chǔ)范圍：通常覆蓋 -55℃（低溫輔助）至 + 250℃，特殊場(chǎng)景（如汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙、航空電子）需擴(kuò)展至 +300℃甚至 + 400℃（如 SiC 功率器件）。

• 典型分區(qū)：

2. 溫度控制精度與均勻性

• 控制精度：≤±1℃（基礎(chǔ)測(cè)試），可靠性測(cè)試需 ±0.5℃（避免溫度波動(dòng)導(dǎo)致參數(shù)漂移誤判）。

• 溫區(qū)均勻性：測(cè)試腔內(nèi)任意兩點(diǎn)溫差 ≤2℃（針對(duì)多樣品并行測(cè)試，確保樣品受力一致），采用熱風(fēng)循環(huán)或紅外加熱實(shí)現(xiàn)均勻控溫。

3. 升溫 / 降溫速率

• 升溫速率：5-10℃/min（常規(guī)測(cè)試），快速熱沖擊測(cè)試可達(dá) 20℃/min（模擬溫度變化）。

• 降溫速率：3-5℃/min（自然冷卻）或強(qiáng)制風(fēng)冷 / 水冷（10℃/min），需避免速率過快導(dǎo)致器件熱應(yīng)力開裂（尤其陶瓷封裝器件）。

4. 環(huán)境氛圍

• 大氣環(huán)境：默認(rèn)空氣氛圍（適用于非敏感器件）；

• 惰性氣體保護(hù)：對(duì)易氧化器件（如 GaN、SiC），需通入氮?dú)猓兌取?9.999%）或氬氣，氧含量控制在 ≤10ppm，防止高溫下金屬電極氧化。

• 濕度控制：部分測(cè)試（如高溫高濕偏壓測(cè)試）需控制濕度 30-90% RH（配合溫度 85-150℃，模擬濕熱環(huán)境）。

二、電性能測(cè)試參數(shù)

1. 電參數(shù)測(cè)量范圍與精度

• 電壓：測(cè)試范圍 0-1000V（覆蓋芯片工作電壓 VDD 至擊穿電壓 BV），精度 ±0.1%FS（滿量程），分辨率≤1mV（適用于低電壓器件如 MCU）。

• 電流：測(cè)試范圍 1nA-100A（涵蓋漏電流至工作電流），精度 ±0.5%FS，分辨率≤1pA（關(guān)鍵參數(shù)如 MOSFET 的柵極漏電流 Igss）。

• 頻率：針對(duì)高頻器件（如射頻芯片），測(cè)試頻率覆蓋 1kHz-10GHz，精度 ±0.1%（避免高溫對(duì)寄生參數(shù)的影響誤判）。

2. 測(cè)試參數(shù)類型
   根據(jù)器件類型定制監(jiān)測(cè)參數(shù)：

• 晶體管（MOSFET/BJT）：閾值電壓 Vth、導(dǎo)通電阻 Rds (on)、擊穿電壓 BVdss、漏電流 Idss；

• 芯片（MCU/IC）：靜態(tài)電流 Iddq、動(dòng)態(tài)功耗、時(shí)序延遲、邏輯功能（高溫下是否出現(xiàn)邏輯翻轉(zhuǎn)）；

• 傳感器：靈敏度、線性度、零點(diǎn)漂移（如高溫壓力傳感器的輸出偏差）。

3. 偏置條件

• 施加電壓 / 電流：通常為器件額定值的 80%-120%（模擬重載或極限工作狀態(tài)），如 VDD=3.3V 的芯片，高溫偏置可能設(shè)為 3.6V（110% 額定值）。

• 偏置方式：直流偏置（靜態(tài)測(cè)試）或脈沖偏置（動(dòng)態(tài)測(cè)試，避免偏置功耗導(dǎo)致器件自熱，干擾環(huán)境溫度）。