手機版
化工儀器網(wǎng)手機版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號：chem17
掃碼關注視頻號
在MEMS（微機電系統(tǒng)）、功率器件、生物芯片等領域，深硅刻蝕技術通過對硅材料進行高精度縱深加工，成為構(gòu)建三維微納結(jié)構(gòu)的“核心雕刻工具”，其應用覆蓋從微米級到納米級的復雜結(jié)構(gòu)制備。?
MEMS器件制造是深硅刻蝕的典型應用領域。在加速度傳感器生產(chǎn)中，采用感應耦合等離子體（ICP）刻蝕技術，在硅片上刻蝕出深度達50-200μm的梳齒結(jié)構(gòu)，刻蝕垂直度偏差小于1°，確保器件在加速度變化時的電容變化線性度；微型陀螺儀的振動腔體則通過博世工藝實現(xiàn)周期性刻蝕與鈍化，形成側(cè)壁光滑的深槽，深寬比可達50:1，滿足高頻振動時的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性要求。?
功率半導體器件中，深硅刻蝕用于構(gòu)建垂直導電通道。在IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）制造中，通過深硅刻蝕在硅片上形成深度100-300μm的溝槽，再填充絕緣材料，實現(xiàn)器件的高壓隔離，使擊穿電壓提升至1200V以上，滿足新能源汽車逆變器的高壓需求；第三代半導體的SiC基器件則依賴反應離子刻蝕（RIE）系統(tǒng)，刻蝕出深度5-20μm的柵極溝槽，提升器件的開關速度與散熱性能。?
生物芯片領域，深硅刻蝕助力微流控芯片的功能實現(xiàn)。通過刻蝕深度10-50μm的微通道網(wǎng)絡，模擬人體血管或組織液流動環(huán)境，用于藥物篩選時可精準控制試劑流量（低至納升/分鐘）；細胞培養(yǎng)芯片中的微柱陣列結(jié)構(gòu)，通過深硅刻蝕形成直徑5μm、間距10μm的柱狀凸起，為細胞提供三維生長支架，便于觀察細胞間的相互作用。此外，深硅刻蝕在光通信器件中用于制備硅基波導，通過刻蝕出寬度200-500nm的波導結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)光信號的高效傳輸與調(diào)制，推動光模塊向小型化、高密度方向發(fā)展。
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的，應在授權范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
采購中心